[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括第一氧化绝缘膜和层叠于所述第一氧化绝缘膜上的第一氮化绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的透光性电极；

晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜上的与所述栅电极重叠的金属氧化物半导体膜；

电容器，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的透光性导电膜；

所述透光性导电膜上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分；以及

所述第二绝缘膜的所述一部分上的用作第二电容电极的所述透光性电极，

其中，所述金属氧化物半导体膜及所述透光性导电膜使用相同膜形成，

所述第一氧化绝缘膜在所述金属氧化物半导体膜上并与其接触，

并且，所述第一氮化绝缘膜在所述透光性导电膜上并与其接触且与所述金属氧化物半导体膜重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘膜包括接触于所述透光性导电膜的第二氮化绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一绝缘膜包括第二氮化绝缘膜以及层叠于所述第二氮化绝缘膜上的第二氧化绝缘膜，

所述第二氮化绝缘膜接触于所述透光性导电膜，

并且，所述第二氧化绝缘膜接触于所述金属氧化物半导体膜。

5.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的透光性电极；

晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜上的与所述栅电极重叠的金属氧化物半导体膜；

电容器，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的透光性导电膜；

所述透光性导电膜上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分；以及

所述第二绝缘膜的所述一部分上的用作第二电容电极的所述透光性电极，

其中，所述金属氧化物半导体膜及所述透光性导电膜使用相同膜形成，

并且，所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘膜包括接触于所述透光性导电膜的氮化绝缘膜。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述第一绝缘膜包括氮化绝缘膜以及层叠于所述氮化绝缘膜上的氧化绝缘膜，

所述氮化绝缘膜接触于所述透光性导电膜，

并且，所述氧化绝缘膜接触于所述金属氧化物半导体膜。

8.根据权利要求１所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的氢。

9.根据权利要求５所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的氢。

10.根据权利要求１所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的氮。

11.根据权利要求５所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有比所述金属氧化物半导体膜更高浓度的氮。

12.根据权利要求１所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有浓度高于1×10¹⁹atoms/cm³且低于或等于1×10²²atoms/cm³的掺杂剂。

13.根据权利要求５所述的半导体装置，

其中所述透光性导电膜含有浓度高于1×10¹⁹atoms/cm³且低于或等于1×10²²atoms/cm³的所述掺杂剂。