[发明专利]单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法

权利要求书

1.一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在该石墨坩埚的内侧配置石英坩埚，并从该石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，其特征在于，

在所述石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在所述石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有在所述石墨坩埚上升时位于其直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在所述原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在所述坩埚上部绝热部件、所述坩埚外侧绝热部件和所述坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，所述石墨坩埚以及所述石英坩埚可在结晶成长轴方向上升降。

2.根据权利要求1所述的单晶硅生长装置，其特征在于，

所述加热器外侧绝热部件、所述坩埚下部绝热部件、所述坩埚上部绝热部件、所述坩埚外侧绝热部件、所述坩埚内侧绝热部件以及所述隔热部件分别由碳纤维或玻璃纤维构成；所述加热器外侧绝热部件、所述坩埚下部绝热部件、所述坩埚上部绝热部件、所述坩埚外侧绝热部件、所述坩埚内侧绝热部件以及所述隔热部件各自的表面被石墨材料或石英材料所保护。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅生长装置，其特征在于，在所述原料熔融液液面高度上所述石墨坩埚在结晶成长轴方向上的温度梯度为11℃/cm以下。

4.一种单晶硅生长方法，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在该石墨坩埚的内侧配置石英坩埚，并从该石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长方法，其特征在于，使用权利要求1至3中任意一项所述的单晶硅生长装置使结晶生长。

5.一种单晶硅生长方法，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在该石墨坩埚的内侧配置石英坩埚，并从该石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长方法，其特征在于，在所述原料熔融液液面的高度上所述石墨坩埚在结晶成长轴方向上的温度梯度设为11℃/cm以下。