[发明专利]有机电致发光元件和发光器件无效

专利信息
申请号: 201380047345.6 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN104620405A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 米原健矢;小野富男;泽部智明;榎本信太郎 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 姬利永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 元件 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光元件,包括:

第一电极;

反射层,设置为面向所述第一电极;

有机发光层,设置在所述第一电极和所述反射层之间;

第二电极,设置在所述有机发光层和所述反射层之间;以及

光学缓冲层,设置在所述第二电极和所述反射层之间,

所述光学缓冲层的折射率低于所述有机发光层的折射率。

2.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种。

3.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极具有第一部分和第二部分,所述第二部分的折射率不同于所述第一部分的折射率。

4.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括绝缘体和从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种的共沉积膜,或绝缘体和包括从所述组中选择的至少一种的合金的共沉积膜。

5.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括合金,所述合金包括从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种。

6.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括镁银合金,所述镁银合金中的Ag的体积分数不小于0.2。

7.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述光学缓冲层包括在所述第二电极和所述反射层之间填充的气体。

8.根据权利要求1所述的元件,进一步包括被配置为用于向所述第二电极和所述反射层施加电压的控制单元,

所述控制单元被配置为用于通过施加电压,控制所述光学缓冲层以具有负单轴性。

9.根据权利要求1所述的元件,进一步包括与所述第一电极相对的光提取结构,所述第一电极设置在所述光提取结构和所述有机发光层之间。

10.一种有机电致发光元件,包括:

第一电极;

反射层,设置为面向所述第一电极;

有机发光层,设置在所述第一电极和所述反射层之间;

第二电极,设置在所述有机发光层和所述反射层之间;以及

光学缓冲层,设置在所述第二电极和所述反射层之间,

所述第二电极包括从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种。

11.根据权利要求10所述的元件,其特征在于,所述第二电极具有第一部分和第二部分,所述第二部分的折射率不同于所述第一部分的折射率。

12.根据权利要求10所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括绝缘体和从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种的共沉积膜,或绝缘体和包括从所述组中选择的至少一种的合金的共沉积膜。

13.根据权利要求10所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括合金,所述合金包括从由Ag、Au、Ca以及碱金属构成的组中选择的至少一种。

14.根据权利要求10所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括镁银合金,所述镁银合金中的Ag的摩尔分数不小于0.2。

15.根据权利要求10所述的元件,其特征在于,所述光学缓冲层包括在所述第二电极和所述反射层之间填充的气体。

16.根据权利要求10所述的元件,进一步包括被配置为用于向所述第二电极和所述反射层施加电压的控制单元,

所述控制单元被配置为用于通过施加电压,控制所述光学缓冲层以具有负单轴性。

17.一种包括有机电致发光元件的发光器件,所述元件包括:

第一电极;

反射层,配置为面向所述第一电极;

有机发光层,设置在所述第一电极和所述反射层之间;

第二电极,设置在所述有机发光层和所述反射层之间;以及

光学缓冲层,设置在所述第二电极和所述反射层之间,

所述光学缓冲层的折射率低于所述有机发光层的折射率。

18.根据权利要求17所述的器件,其特征在于,所述第二电极具有第一部分和第二部分,所述第二部分的折射率不同于所述第一部分的折射率。

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