[发明专利]用于对物体进行热处理的装置和方法有效
申请号: | 201380046837.3 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN104919580B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | M.费尔芬格;S.乔斯特;J.帕尔姆 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李强,宣力伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 物体 进行 热处理 装置 方法 | ||
1.一种用于对物体(2)进行热处理的装置(1),其具有可气密性密封的壳体(3),所述壳体(3)封闭了中空的空间(11),其中所述中空的空间(11)具有分隔壁(20),通过所述分隔壁,所述中空的空间(11)被分隔成用于容纳所述物体(2)的处理空间(21),以及中间空间(22),其中所述分隔壁(20)具有一个或多个开口(23,24),所述一个或多个开口(23,24)被实现成使得所述分隔壁(20)用作阻碍所述处理空间(21)中由于所述物体(2)的热处理而产生的气态物质从所述处理空间(21)扩散到所述中间空间(22)中的阻隔,其中所述壳体(3)具有与在用于对其进行主动冷却的冷却装置(14)联接的至少一个壳体部段(9),其中所述分隔壁(20)设置在所述物体(2)和所述可冷却的壳体部段(9)之间。
2.根据权利要求1所述的装置(1),其特征在于,所述分隔壁(20)被实现成使得热处理期间的气态物质的质量损失少于50%,其中由所述一个或多个开口(23,24)的总的开口面积(25)除以所述处理空间(21)的内表面(26)而形成的面积比在5 × 10-5至5 × 10-4范围内。
3.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,所述分隔壁(20)包含的材料具有的热膨胀系数使得所述一个或多个开口(23,24)的总的开口面积(25)在热处理期间由于加热所述分隔壁(20)而减少至热处理之前的总的开口面积(25)的最大50%。
4.根据权利要求3所述的装置(1),其特征在于,所述分隔壁(20)包含热膨胀系数大于5 × 10-6K-1的材料。
5.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,所述壳体(3)由热膨胀系数小于5 × 10-6K-1的材料制成。
6.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,包括用于加热所述处理空间(21)以便对所述物体(2)进行热处理的加热装置(10),并且/或者所述壳体(3)包括被实现成使得所述物体可通过冲击在所述壳体上的电磁热辐射而进行热处理的至少一个壳体部段(5,6),并且/或者所述壳体(3)具有联接在用于加热所述处理空间(21)的加热装置(12)上的至少一个壳体部段(5,6)。
7.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,所述分隔壁(20)设置在所述中空的空间(11)的较热的区域(28)和至少一个较冷的区域(29)之间。
8.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,联接在冷却装置(14)上的所述壳体部段(9)具有可密封的气体通道(16),其通向所述中间空间(22),以用于除去/供给至少一种气态物质。
9.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,联接在冷却装置(14)上的壳体部段(9)是所述壳体(3)的侧壁部段(7),其包括密封件,用于密封壳体开口(8)。
10.根据权利要求1或2所述的装置(1),其特征在于,所述分隔壁(20)并不到达壳体壁(6),其中在所述分隔壁(20)和所述壳体壁(6)之间保留了开口。
11.如权利要求1到10的任一项所述的装置用于对物体(2)进行热处理的一种用途。
12.根据权利要求11所述的用途,其特征在于,所述分隔壁(20)被实现成使得热处理期间的气态物质的质量损失少于50%,其中所述分隔壁(20)被实现成使得由所述一个或多个开口(23,24)的总的开口面积(25)除以所述处理空间(21)的内表面(26)而形成的面积比在5 × 10-5至5 × 10-4范围内。
13.根据权利要求11或12所述的用途,其特征在于,所述分隔壁(20)具有的热膨胀系数使得所述一个或多个开口(23,24)的总的开口面积(25)在所述物体(2)的热处理期间由于加热所述分隔壁而减少至热处理之前的总的开口面积的最大50%,其中所述分隔壁(20)包含具有超过5 × 10-6K-1的热膨胀系数的材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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