[发明专利]用于处理被覆层的基质的工艺盒、组件和方法

权利要求书

1.一种用于处理被覆层的基质(2)的工艺盒(1)，包括：

- 能够气密地封闭的壳体(3)，其具有包围空腔(11)的壳体壁(4)，

- 所述壳体壁(4)包括至少一个第一壳体壁截段，所述至少一个第一壳体壁截段能够与用于其冷却的冷却装置(14)联结，

- 所述壳体壁(4)包括至少一个第二壳体壁截段(5,6;27,29)，其构造成使得所述基质(2)通过射入的电磁热辐射能够热处理，其中所述第二壳体壁截段(5,6;27,29)不同于所述第一壳体壁截段，

- 所述空腔(11)通过至少一个间隔壁(20)被划分成用于容纳所述基质(2)的处理腔(21)和中间腔(22)，其中，所述间隔壁(20)具有一个或多个开口(23,24,37)且布置在所述基质(2)和能够与所述冷却装置(14)联结的所述第一壳体壁截段之间，其中所述间隔壁(20)构造成使得在热处理期间通过被覆层的所述基质(2)的热处理所产生的气态物质从所述处理腔(21)出来的质量损失小于50%，并且其中，所述间隔壁(20)构造成使得由一个或多个所述开口(23,24,37)的总开口面积(25)除以所述处理腔(21)的内表面积(26)所形成的面积比处于5x10^-5至5x10^-4的范围中，

- 所述壳体壁(4)设有通到所述空腔(11)中的、能够封闭的至少一个气体通引部(16)用于排空和将过程气体引入所述空腔(11)中。

2.根据权利要求1所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)构造成使得在热处理期间通过被覆层的所述基质(2)的热处理所产生的气态物质从所述处理腔(21)出来的质量损失小于20%。

3.根据权利要求2所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)构造成使得在热处理期间通过被覆层的所述基质(2)的热处理所产生的气态物质从所述处理腔(21)出来的质量损失小于10%。

4.根据权利要求1或2所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)包含具有这样的热膨胀系数的材料，使得一个或多个所述开口(23,24,37)的总开口面积(25)通过在热处理期间所述间隔壁(20)的加热减小到在热处理之前的总开口面积(25)的最大50%。

5.根据权利要求4所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)包含具有这样的热膨胀系数的材料，使得一个或多个所述开口(23,24,37)的总开口面积(25)通过在热处理期间所述间隔壁(20)的加热减小到在热处理之前的总开口面积(25)的30%。

6.根据权利要求4所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)包含具有这样的热膨胀系数的材料，使得一个或多个所述开口(23,24,37)的总开口面积(25)通过在热处理期间所述间隔壁(20)的加热减小到在热处理之前的总开口面积(25)的10%。

7.根据权利要求1或2所述的工艺盒(1)，在其中所述间隔壁(20)包含带有大于5x10^-6K^-1的热膨胀系数的材料。

8.根据权利要求1或2所述的工艺盒(1)，在其中所述壳体(3)包括底部(27)、盖(29)以及将底部(27)和盖(29)相互连接的框架(28)，其中，能够与冷却装置(14)联结的所述壳体截段由至少一个框架截段形成。

9.根据权利要求8所述的工艺盒(1)，在其中所述框架(28)包括与所述底部(27)固定地连接的第一框架件(30)和与所述盖(29)固定地连接的第二框架件(31)，其中，这两个框架件(30,31)为了形成所述空腔(11)能够气密地相互接合。

10.根据权利要求1或2所述的工艺盒(1)，在其中所述壳体壁(4)包括：

- 包围所述空腔(11)的一件式的壳体壁截段(5-7)，其带有壳体开口，

- 用于气密地封闭所述壳体开口的封闭件(9)。

11.根据权利要求10所述的工艺盒(1)，在其中能够与冷却装置(14)联结的所述第一壳体壁截段包含所述封闭件(9)。