[发明专利]铝膜的制造方法有效
申请号: | 201380046528.6 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN104619890B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 后藤健吾;细江晃久;西村淳一;奥野一树;木村弘太郎;境田英彰 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C25D3/66 | 分类号: | C25D3/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
1.一种制造铝膜的方法,包括在电解液中将铝电沉积至基材的表面,
其中,所述电解液是通过向由氯化铝和烷基氯化咪唑鎓构成的熔盐中添加至少一种化合物A和具有氨基的化合物B而获得的,其中所述化合物A选自由有机溶剂、数均分子量为200至80,000的有机高分子化合物、以及碳原子数为3至14的含氮杂环化合物构成的组。
2.根据权利要求1所述的制造铝膜的方法,其中所述烷基氯化咪唑鎓中的烷基具有1至5个碳原子。
3.根据权利要求1或2所述的制造铝膜的方法,其中所述化合物A是1,10-菲咯啉。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造铝膜的方法,其中所述化合物B是选自由烷基氯化铵和由下式(1)表示的脲化合物构成的组中的至少一者:
[化学式1]
其中,在所述式(1)中,R为氢原子、具有1至6个碳原子的烷基、或苯基,并且两个R可以相同或不同。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的制造铝膜的方法,其中所述化合物B是二甲基脲或二甲基氯化铵。
6.根据权利要求5所述的制造铝膜的方法,其中所述化合物A是1,10-菲咯啉,并且其在所述电解液中的浓度为1g/L至2g/L;并且
其中所述化合物B是二甲基脲,并且其在所述电解液中的浓度为5g/L至15g/L。
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