[发明专利]用于分离两个基板的设备有效
申请号: | 201380046479.6 | 申请日: | 2013-09-03 |
公开(公告)号: | CN104737281B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 迪迪埃·朗德吕 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分离 两个 设备 | ||
1.一种用于在“分离的”界面处分离两个基板的设备,这两个基板中的至少一个意在使用在电子设备、光学设备、光电设备和/或光伏设备中,这两个基板共同形成一种结构,该设备包括:
-固定器(1);
-保持构件(2,2'),该保持构件(2,2')用于保持所述结构,所述构件安装在所述固定器(1)上;
-分离工具(3,3',3″,3″'),该分离工具(3,3',3″,3″')用于分离所述两个基板,也安装在所述固定器(1)上;和
-第一装置(4)和/或第二装置(5),该第一装置(4)用于移动所述分离工具(3,3',3″,3″'),该第二装置(5)用于移动所述保持构件(2,2'),所述第一装置(4)和所述第二装置(5)使所述分离工具(3,3',3″,3″')和/或所述保持构件(2,2')能够相对于所述固定器(1)移动,以使所述分离工具(3,3',3″,3″')和/或所述保持构件(2,2')更加靠近在一起或移动所述分离工具(3,3',3″,3″')和/或所述保持构件(2,2')使其进一步远离彼此,所述分离工具(3,3',3″,3″')和/或所述保持构件(2,2')在有限的行进范围内移动,
该用于在“分离的”所述界面处分离所述两个基板的设备的特征在于,所述分离工具(3,3',3″,3″')包括前沿(30,30',30″,30″'),该前沿(30,30',30″,30″')在横截面中连续从其梢部(320',320″)或其前边缘(323,303″)至其后部具有由展开部(33,33',33″,33″')延伸的锥形部(32,32',32″,32″'),
其中,所述分离工具(3,3')的所述锥形部(32,32')具有等腰三角形横截面,所述锥形部的梢部处的角(α)小于30°,并且所述展开部(33,33')具有等腰梯形横截面,所述展开部的梢部处的角(β)大于30°,并且,所述分离工具(3,3',3″,3″')具有穿过其梢部(320',320″')或其前边缘(323,303″)的纵向的垂直对称面(P1,P2,P3,P4)。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述锥形部(32,32')的等腰三角形的高度(H1)包括在2mm至20mm之间,所述展开部(33,33')的等腰梯形的高度(H2)包括在10mm至100mm之间,并且,所述展开部(33,33')的梯形底部齐平处测得的所述分离工具(3,3')的厚度(e)大于所述锥形部(32,32')的梢部处的角(α)的一半的正切值与所述锥形部(32,32')的梢部处的高度(H1)的乘积的两倍。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其特征在于,所述分离工具(3,3″)的前沿(30,30″)是细长的直线元件。
4.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述分离工具(3,3',3″,3″')由具有低摩擦系数的材料制成,或由覆盖有润滑剂的材料制成。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述保持构件(2,2')包括垂直保持槽(21,21'),所述垂直保持槽(21,21')为圆拱形,垂直保持槽(21,21')包括底部(210,210')和两个侧壁(211,211';212,212'),该两个侧壁(211,211';212,212')朝上并且朝向外部倾斜,并且使得在所述两个侧壁(211,211';212,212')之间的角(α)大于或等于8°,该槽允许所述结构或所述两个基板保持在垂直或基本垂直的位置,并且所述第一装置(4)和/或所述第二装置(5)确保所述分离工具(3,3',3″,3″')和/或保持构件(2,2')在垂直平面内移动。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于:
-所述保持槽(21,21')具有穿过其底部(210,210')的纵向的垂直对称面(P5,P6);
和
-所述保持构件(2,2')和所述分离工具(3,3',3″,3″')安装在所述固定器(1)上,使得所述分离工具(3,3',3″,3″')位于所述保持构件(2,2')上方,并且使得所述保持构件(2,2')和所述分离工具(3,3',3″,3″')的相应的垂直对称面(P1,P2,P3,P4,P5,P6)是一致的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造