[发明专利]透明OLED光提取

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

具有设置在底板上的上电极和相对下电极的有机发光二极管(OLED)装置，其中由所述OLED装置发出的光能够实质上透过所述上电极、所述相对下电极和所述底板中的每一个；

紧邻所述上电极设置的覆盖层；和

邻近所述覆盖层设置的光提取膜，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的纳米结构层、和设置在所述纳米结构上方且邻近所述覆盖层的回填层，所述回填层具有的折射率大于所述纳米结构的折射率，所述基板包括实质上反射由所述OLED装置发出的光的材料，使得由所述OLED装置发出的光从所述基板反射并穿过所述底板，

所述上电极与所述相对下电极之间设置有电致发光有机材料，所述覆盖层的折射率大于所述电致发光有机材料的折射率，

所述覆盖层与所述回填层之间设置有粘合剂光学耦合层，所述覆盖层的折射率大于所述光学耦合层的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述纳米结构包含工程化纳米级图案。

3.一种有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)装置，包括：

发光装置阵列，每个发光装置包括：

具有设置在底板上的上电极和相对下电极的有机发光二极管(OLED)装置，其中由所述OLED装置发出的光能够实质上透过所述上电极、所述相对下电极和所述底板中的每一个；

紧邻所述上电极设置的覆盖层；和

设置在所述发光装置阵列上方的光提取膜，所述光提取膜邻近所述覆盖层，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的纳米结构层、和设置在所述纳米结构上方且邻近所述覆盖层的回填层，所述回填层具

有的折射率大于所述纳米结构的折射率，所述基板包括实质上反射由所述OLED装置发出的光的材料，使得由所述OLED装置发出的光从所述基板反射并穿过所述底板，

所述上电极与所述相对下电极之间设置有电致发光有机材料，所述覆盖层的折射率大于所述电致发光有机材料的折射率，

所述覆盖层与所述回填层之间设置有粘合剂光学耦合层，所述覆盖层的折射率大于所述光学耦合层的折射率。

4.一种图像显示装置，包括：

多个发光装置，每个发光装置包括：

具有设置在底板上的上电极和相对下电极的有机发光二极管(OLED)装置，其中由所述OLED装置发出的光能够实质上透过所述上电极、所述相对下电极和所述底板中的每一个；

紧邻所述上电极设置的覆盖层；

邻近所述覆盖层设置的光提取膜；和

能够激发所述发光装置中的每一个的电子电路，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的纳米结构层、和设置在所述纳米结构上方且邻近所述覆盖层的回填层，所述回填层具有的折射率大于所述纳米结构的折射率，所述基板包括实质上反射由所述OLED装置发出的光的材料，使得由所述OLED装置发出的光从所述基板反射并穿过所述底板，

所述上电极与所述相对下电极之间设置有电致发光有机材料，所述覆盖层的折射率大于所述电致发光有机材料的折射率，

所述覆盖层与所述回填层之间设置有粘合剂光学耦合层，所述覆盖层的折射率大于所述光学耦合层的折射率。