[发明专利]用于沿选择的界面分离至少两个衬底的方法

权利要求书

1.一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：

-界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感，

-在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开，然后其中

-液体施加在所述分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。

2.根据权利要求1所述的的工艺，其特征在于选择的界面(I1)的所述外围区域(R1)是环形。

3.根据权利要求1和2的工艺，其特征在于具有较低的断裂能的所述外围区域(R1)在所述两个衬底组合之前形成。

4.根据权利要求1至3的其中一项所述的工艺，其特征在于具有较低的断裂能的所述外围区域(R1)在所述两个衬底组合之后形成。

5.根据权利要求1至4的其中一项所述的工艺，其特征在于所述外围区域(R1)通过所述选择的界面(I1)的激光辐照形成。

6.根据权利要求1至5的其中一项所述的工艺，其特征在于所述外围区域(R1)通过所述选择的界面(I1)的化学蚀刻形成。

7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于所述化学蚀刻通过应用氢氟酸实施。

8.根据权利要求1至7的其中一项所述的工艺，其特征在于所述结构(S)包含绝缘体上半导体类型的结构，其包含支持衬底(1)，隐埋氧化硅层(2)和硅层(3)，所述分离界面(I1)由所述氧化层(2)和所述硅层(3)之间的界面构成。

9.根据权利要求1至8的其中一项所述的工艺，其特征在于每个所述分离界面的断裂能高于1J/m²，优选为高于1.5J/m²。

10.根据权利要求1至9的其中一项所述的工艺，其特征在于在所述选择的分离界面(I1)的所述外围区域(R1)的断裂能低于或等于1J/m²。

11.根据权利要求1至10的其中一项所述的工艺，其特征在于所述分离界面(I1)的其余部分的断裂能高于或等于1J/m²，优选为高于或等于1.5J/m²。

12.根据权利要求1至11的其中一项所述的工艺，其特征在于所述选择的界面(I1)是硅/氧化硅界面。

13.根据权利要求1至12的其中一项所述的工艺，其特征在于所述施加在衬底之间的液体选自去离子水、乙醇、水蒸气、氨水和联氨。