[发明专利]SiC单晶的制造装置以及制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶的制造装置，其用于溶液生长法，其包括：

晶种轴，其具有能够安装SiC晶种的下端面，所述SiC晶种的下表面为晶体生长面，在安装所述SiC晶种时，所述SiC晶种的整个上表面与所述下端面接触；

坩埚，其用于收纳Si－C溶液；

搅拌构件，其被浸渍于所述Si－C溶液，并且配置在所述晶种轴的下方；

驱动源，其使所述坩埚和所述搅拌构件中的任一者相对于另一者相对旋转，

所述搅拌构件具有相对于所述晶种轴的中心轴线平行或者倾斜地延伸的叶片，

在所述搅拌构件被浸渍于所述Si－C溶液且所述SiC晶种与所述Si－C溶液接触了时，所述搅拌构件隔着所述Si－C溶液与所述SiC晶种相对地配置。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述驱动源包括使所述坩埚旋转的第1驱动源。

3.根据权利要求2所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述驱动源还包括使所述搅拌构件绕所述晶种轴的中心轴线旋转的第2驱动源。

4.根据权利要求3所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述第2驱动源使所述搅拌构件向与所述坩埚的旋转方向相反的方向旋转。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述搅拌构件配置于所述SiC晶种的下方。

6.根据权利要求5所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述搅拌构件是能够绕所述晶种轴的中心轴线旋转的搅拌叶片。

7.根据权利要求6所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述搅拌叶片具有相对于所述晶种轴的中心轴线倾斜并相交的叶片，

所述叶片能够绕所述晶种轴的中心轴线旋转。

8.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述搅拌构件安装于所述晶种轴，

所述驱动源使所述晶种轴旋转。

9.一种SiC单晶的制造方法，其利用溶液生长法制造SiC单晶，其包括：

准备制造装置的工序，其中，该制造装置包括具备能够安装SiC晶种的下端面的晶种轴、收纳Si－C溶液的坩埚、以及被浸渍于所述Si－C溶液并且具有相对于所述晶种轴平行或者倾斜地延伸的叶片的搅拌构件，所述SiC晶种的下表面为晶体生长面，在安装所述SiC晶种时，所述SiC晶种的整个上表面与所述下端面接触；

在所述坩埚内生成Si－C溶液的工序；

使所述搅拌构件浸渍于所述Si－C溶液的工序；

使所述SiC晶种与所述Si－C溶液接触而使所述SiC单晶生长的工序，

在使所述SiC单晶生长的工序中，所述搅拌构件的下端在被安装于所述晶种轴的所述下端面的SiC晶种的下方，并隔着所述Si－C溶液与所述SiC晶种相对地配置，并且使所述坩埚和所述搅拌构件中的任一者相对于另一者相对旋转。

10.根据权利要求9所述的SiC单晶的制造方法，其中，

在使所述SiC单晶生长的工序中，使所述搅拌构件向与所述坩埚的旋转方向相反的方向旋转。