[发明专利]稳压器有效

专利信息
申请号: 201380046042.2 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN104603710B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 中下贵雄;黑藏忠 申请(专利权)人: 精工半导体有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 稳压器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及稳压器的过冲抑制电路。

背景技术

对以往的稳压器进行说明。图4是示出以往的稳压器的电路图。

以往的稳压器具有:基准电压电路101;误差放大电路102;误差放大电路102的偏置电路103;作为输出晶体管的PMOS晶体管104;分压电阻电路105;放大器301;放大器301的偏置电路302;以及PMOS晶体管108。

PMOS晶体管104连接在电源端子与输出端子109之间。输出反馈电压Vfb的分压电阻电路105连接在输出端子109与接地端子之间。关于误差放大电路102,反相输入端子与基准电压电路101连接,向正相输入端子输入反馈电压Vfb,输出端子与PMOS晶体管104的栅极连接。偏置电路103向误差放大电路102提供工作电流。PMOS晶体管108连接在电源端子与PMOS晶体管104的栅极之间。关于放大器301,正相输入端子与基准电压电路101连接,向反相输入端子输入反馈电压Vfb,输出端子与PMOS晶体管108的栅极连接。偏置电路302向放大器301提供工作电流。

放大器301对输入的反馈电压Vfb与基准电压Vref进行比较。在反馈电压Vfb比基准电压Vref低的情况下,放大器301输出Hi(高)信号而使PMOS晶体管108截止。当在输出端子109的输出电压Vout中产生过冲而反馈电压Vfb比基准电压Vref高时,放大器301输出Lo(低)信号而使PMOS晶体管108导通。

以往的稳压器能够通过这样地工作而防止输出端子109的输出电压Vout的过冲变大(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-301439号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而,以往的稳压器存在如下课题:在电源电压低、且输出端子109输出比规定的输出电压Vout低的电压的状态(以下,为非调整状态)下,当电源电压变高时,在输出端子109中产生过大的过冲。另外,为了防止过大的过冲,需要增大流过放大器301的偏置电路302的电流,但这样存在稳压器的消耗电流增大的课题。

本发明是鉴于上述课题而完成的,提供一种稳压器,该稳压器消耗电流低,并且能够抑制在非调整状态下当电源电压变高时在输出端子中产生过大的过冲。

用于解决课题的手段

为了解决以往的课题,本发明的具有过冲抑制电路的稳压器采用以下的结构。

一种稳压器,其特征在于,所述稳压器具有:过冲限制电路,其检测在输出电压中产生过冲的情况,并限制输出晶体管的电流;以及非调整状态检测电路,其根据输出端子的电压与流过输出晶体管的电流,检测稳压器处于非调整状态的情况,过冲制限电路根据非调整状态检测电路的检测信号控制工作电流。

发明效果

本发明的具有过冲抑制电路的稳压器具有消耗电流低且能够抑制在非调整状态下当电源电压变高时产生的输出电压的过冲。

附图说明

图1是第1实施方式的具有过冲抑制电路的稳压器的电路图。

图2是第2实施方式的具有过冲抑制电路的稳压器的电路图。

图3是示出本实施方式的过冲控制电路的一例的电路图。

图4是以往的具有过冲抑制电路的稳压器的电路图。

具体实施方式

下面,参照附图,对本实施方式进行说明。

[第1实施方式]

图1是本实施方式的具有过冲抑制电路的稳压器的电路图。

本实施方式的稳压器具有:基准电压电路101;误差放大电路102;误差放大电路102的偏置电路103;输出晶体管104;分压电阻电路105;非调整状态检测电路106;过冲控制电路107以及PMOS晶体管108。非调整状态检测电路106与过冲控制电路107构成过冲抑制电路。

分压电阻电路105连接在输出端子109与接地端子之间。关于误差放大电路102,向正相输入端子输入反馈电压Vfb,向反相输入端子输入基准电压Vref。关于输出晶体管104,栅极与误差放大电路102的输出端子连接,源极与电源端子连接,漏极与输出端子109连接。非调整状态检测电路106被输入输出端子109的电压与电源端子的电压,非调整状态检测电路106的输出端子与过冲控制电路107连接。过冲控制电路107输入反馈电压Vfb与基准电压Vref,过冲控制电路107的输出端子与偏置电路103及PMOS晶体管108的栅极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工半导体有限公司,未经精工半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380046042.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top