[发明专利]用于制造具有反射电极的光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤：

-提供半导体层序列(10)；

-将金属的镜层(21)设置在所述半导体层序列(10)的上侧上；

-将镜保护层(3)至少设置在所述镜层的露出的侧面(21c)上；

-部分地移除所述半导体层序列(10)，其中

-所述镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23)，所述开口沿着横向方向由所述镜保护层(3)围边，

-在所述镜层(21)的所述开口(23)的区域中进行上述至少部分地移除所述半导体层序列(10)，

-以自调节的方式进行上述将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，其中

-为了自调节地将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，实施下述方法步骤：

-将所述镜保护层(3)一致地沉积在所述镜层(21)的背离所述半导体层序列(10)的上侧和所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，和

-在部分地移除所述半导体层序列(10)之前，将所述镜保护层(3)施加到所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中通过氧化物或者氮化物形成所述镜保护层(3)，并且通过下述方法中的一种方法进行所述镜保护层(3)的一致的沉积：等离子体增强的化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积、气相沉积、溅射、蒸镀。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中

-在自调节地将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上之前，将至少一个中间保护层(4)设置在所述镜层(21)的背离所述半导体层序列(10)的上侧上，并且

-在自调节地将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面上时，也由所述镜保护层(3)覆盖至少一个所述中间保护层(4)的露出的侧面。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中在结构化所述中间保护层(4)和所述镜层(21)时，在所述中间保护层(4)的下方构成凹口(15)，在所述凹口中，所述镜层(21)沿着横向方向(1)相对于所述中间保护层(4)回缩。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中

-所述镜层(21)包括银，并且

-至少部分地移除所述半导体层序列(10)通过用含卤化物的材料进行蚀刻来实现。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中

-在部分地移除所述半导体层序列(10)时，穿透所述半导体层序列(10)中的有源区域并且露出所述有源区域的侧面，

-在露出所述有源区域的侧面之后，将另一保护层(8)自调节地设置在所述有源区域的露出的侧面上。

7.根据权利要求3所述的方法，

其中

-在部分地移除所述半导体层序列(10)时，穿透所述半导体层序列(10)中的有源区域并且露出所述有源区域的侧面，

-在露出所述有源区域的侧面之后，将另一保护层(8)自调节地设置在所述有源区域的露出的侧面上。

8.根据权利要求6所述的方法，

其中自调节地设置所述另一保护层(8)通过将所述另一保护层一致地沉积在所述镜层(21)的背离所述半导体层序列(10)的上侧和所述有源区域的露出的侧面上来进行。

9.根据权利要求6所述的方法，

其中

-在所述有源区域的背离所述镜层(21)的一侧上露出半导体缓冲区域(14)，

-将导电材料(7)施加到所述半导体缓冲区域(14)上，并且

-所述导电材料(7)沿着所述另一保护层(8)延伸。

10.根据权利要求6所述的方法，

其中

-在露出所述有源区域的侧面之后，使所述有源区域沿着横向方向(1)突出于所述镜层(21)，其中

-所述有源区域突出所述镜层(21)至多2000nm。