[发明专利]多功能晶圆及膜片架操持系统有效
申请号: | 201380045369.8 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN104641461B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 金剑平;李龙谦 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 新加坡加冷盆地工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多功能 膜片 操持 系统 | ||
1.一种用于操持晶圆的系统,每个晶圆具有外围和表面区域,所述系统包括:
晶圆台组件,所述晶圆台组件包括晶圆台,所述晶圆台提供被构造为承载晶圆的平面晶圆台表面,所述晶圆台组件被构造为选择性实施下列其中之一者:将负压施加到所述晶圆的下侧以加速在所述晶圆台表面的保持,或正压施加到所述晶圆的下侧以加速来自所述晶圆台表面的释放;以及
展平设备,所述展平设备被构造为在与所述晶圆台表面垂直的方向上将一组向下的力自动地施加到翘曲或非平面的晶圆的可选择的明显位置,其中所述展平设备消除了对于当所述翘曲或非平面的晶圆由于其翘曲或非平面性而不能够被可靠地保持在所述晶圆台表面上时的手动介入需要,展平设备包括:
多个臂,所述多个臂的每个臂具有耦接到其的包括软且可弹性形变的材料的尖端元件,每个臂可相对于垂直所述晶圆台之垂直轴横向地以可控的方式在朝向所述垂直轴或离开所述垂直轴的方向上移位到多个不同位置,每个臂可沿着平行所述垂直轴的一垂直方向垂直移位使得所述臂的所述尖端元件的一部分可使用该晶圆的暴露的表面。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述晶圆台表面包括多孔材料,多孔材料能够造成下列的每一者(a)流通的流体的传输;(b)流通的真空力的传输。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述展平设备更包括:
主体,所述主体可定位在所述晶圆台表面上方并且可沿着所述垂直轴移位,所述垂直轴承载所述多个臂以及对应的所述尖端元件;以及
垂直移位驱动器,所述垂直移位驱动器被构造为(a)可控地移位所述主体并且因此沿着平行于所述垂直轴的所述垂直方向同时移位所述多个臂和耦接到其的所述尖端元件,根据对应于所述晶圆台上的所述晶圆的尺寸的接合辅助位置自动定位所述尖端元件,从而每个尖端元件的一部分被直接布置在所述晶圆的暴露的上表面上方以与所述晶圆的暴露的表面的一部分接合或接触;以及(b)在朝向所述晶圆台表面的向下方方向上可控地移位根据所述接合辅助位置定位的所述尖端元件,其中每个臂以及对应的每个尖端元件包括一信道用以传输负压。
4.根据权利要求3所述的系统,其中,所述多个尖端元件可移位到多个接合辅助位置,每个接合辅助位置将所述尖端元件布置为在所述晶圆台表面上的晶圆的外围处彼此分离小于标准晶圆直径的区域,其中,每个接合辅助位置对应于不同的标准晶圆尺寸。
5.根据权利要求1所述的系统,所述系统进一步包括移位限制设备,所述移位限制设备被构造为在所施加的负压停止和/或经由所述晶圆台将正压施加到所述晶圆的下侧之后自动地约束或防止晶圆相对于所述晶圆台表面的非受控的横向移位。
6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述移位限制设备包括:
主体,所述主体可定位在所述晶圆台表面上方并且可沿着垂直于所述晶圆台表面的垂直轴移位;
多个臂,所述多个臂耦接到所述主体,所述多个臂内的每个臂具有耦接到其的包括软且可弹性形变的材料的尖端元件,每个臂可相对于所述垂直轴横向地以可控的方式在朝向所述垂直轴或离开所述垂直轴的方向上移位到多个不同位置;
垂直移位驱动器,所述垂直移位驱动器被构造为(a)可控地移位所述主体并且因此沿着平行于所述垂直轴的垂直方向同时移位所述多个臂和耦接到其的所述尖端元件,以根据对应于所述晶圆台上的所述晶圆的尺寸的约束构造定位所述尖端元件,从而每个尖端元件被布置为超出所述晶圆的外围;以及(b)在朝向所述晶圆台表面的向下方方向上可控地移位根据所述约束构造定位的所述尖端元件。
7.根据权利要求6所述的系统,其中,所述尖端元件可移位到多个约束构造,每个约束构造将所述尖端元件布置为彼此分离平面空间约束区域,所述平面空间约束区域略大于所述晶圆台表面上的所述晶圆的表面区域,其中,每个约束构造对应于不同的标准晶圆尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造