[发明专利]发光二极管装置在审
申请号: | 201380045351.8 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN104781943A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | T·费希廷格;S·布伦纳;O·德诺夫泽克;K-D·艾希霍尔策;G·克伦;A·佩西纳;C·法伊施陶尔 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱君;刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
1.一种发光二极管装置(1),其具有第一支承体(2)和布置在第一支承体(2)上的至少一个发光二极管芯片(3),其中
-第一支承体(2)具有至少第一和第二支承体部分(21,22),
-所述发光二极管芯片(3)仅铺设在第一支承体(2)的第一支承体部分(21)上,
-第一和第二支承体部分(21,22)分别具有导热能力,
-第一支承体部分(21)的导热能力至少是第二支承体部分(22)的导热能力的1.5倍,以及
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)被第一支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置,其中,第一支承体部分(21)的导热能力至少是第二支承体部分(22)的导热能力的5倍。
3.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,发光二极管装置具有多个发光二极管芯片(3),其全部布置在第一支承体部分(21)上。
4.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其具有第二支承体(4),该第二支承体具有至少第一和第二支承体部分(41,42),其中
-第二支承体(4)的第一和第二支承体部分(41,42)分别具有导热能力,
-第二支承体(4)的第一支承体部分(41)的导热能力至少是第二支承体(4)的第二支承体部分(42)的导热能力的1.5倍,
-第一支承体(2)布置在第二支承体(4)上,以及
-第一支承体部分(21,41)彼此叠置地布置。
5.一种发光二极管装置(1),具有:第一支承体(2),在所述第一支承体上布置有至少一个发光二极管芯片(3);以及第二支承体(4),在所述第二支承体上布置有所述第一支承体(2),其中
-第一和第二支承体(2,4)分别具有至少第一和第二支承体部分(21,41,22,42),
-所述发光二极管芯片(3)仅铺设在第一支承体(2)的第一支承体部分(21)上,
-第一和第二支承体部分(21,41,22,42)分别具有导热能力,以及,
其中
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有比第一支承体(2)的第二支承体部分(22)高的导热能力,
-第二支承体(4)的第一支承体部分(41)具有比第二支承体(4)的第二支承体部分(42)高的导热能力,以及
-第一支承体部分(21,42)彼此叠置地布置,
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)被第一支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕,以及
-第二支承体(2)的第一支承体部分(21)被第二支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕。
6.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,第一支承体(2)具有在其上布置有所述发光二极管芯片(3)的第一表面(23)和与第一表面(23)对置的第二表面(24),其中,第一支承体(2)的第一支承体部分(21)从第一延伸至第二表面(23,24)。
7.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有热通路(5),所述热通路从第一支承体的其上布置有所述发光二极管芯片(3)的第一表面(23)延伸至第一支承体(2)的与所述第一表面(23)对置的第二表面(24)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有金属块(6)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有掺杂(7)。
10.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其中,第一和/或第二支承体(2,4)具有ESD保护元件(8),并且所述ESD保护元件(8)实施为变阻器、硅半导体保护二极管或者聚合物ESD保护元件。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置,其中,所述ESD保护元件(8)通过第一或第二支承体(2,4)的子区域形成。
12.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置,其具有布置在第一和/或第二支承体(2,4)上的NTC热敏电阻器件(91)和/或PTC热敏电阻器件(92)。
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