[发明专利]树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、用于制造电子器件的方法、电子器件和化合物有效
申请号: | 201380045257.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN104583866B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 后藤研由;涩谷明规;片冈祥平;山口修平;松田知树;加藤启太 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C07D279/12;C07D327/06;C07D411/04;G03F7/039 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 贺卫国 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光化 射线 敏感 放射线 树脂 组合 使用 抗蚀剂膜 图案 形成 方法 用于 制造 电子器件 化合物 | ||
1.一种光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物,所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物包含由式(1)表示的化合物:
其中R1表示取代或未取代的萘基、薁基、苊基、菲基、萉基、菲基、芴基、蒽基、芘基、苯并芘基、联苯基、吖啶基、呫吨基、咔唑基、吲哚基、苯并吡喃基、二氢萘吡喃基、苯并噻唑基、苯并唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二氢苯并呋喃基、苯并噻吩基、二氢苯并噻吩基、色满基、硫代色满基、苯并二英基、二苯并二烷基、酚黄素基、二苯并-1,4-二噻烷基、吩噻嗪基、二苯并噻吩基,
R2表示(n+2)价的饱和的烃基,
R3表示(m+2)价的饱和的烃基,
R4和R5各自独立地表示取代基,
Q表示含有杂原子的连接基团,
m和n各自独立地表示0至12的整数,当n为2以上时,多个R4可以是相同的或不同的,多个R4可以相互连接与R2一起形成非芳族环,当m为2以上时,多个R5可以是相同的或不同的,且多个R5可以相互连接与R3一起形成非芳族环,且
X-表示非亲核阴离子。
2.根据权利要求1所述的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物,
其中在式(1)中,Q是选自由以下连接基团组成的组(G)中的任何一个连接基团:
其中R6表示氢原子或取代基,
p表示0至2的整数,且
*表示连接至式(1)中的R2或R3的结合手。
3.根据权利要求1所述的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物,
其中在式(1)中,X-是由式(2)表示的非亲核阴离子:
其中在式(2)中,多个Xf各自独立地表示氟原子或被至少一个氟原子取代的烷基,
R7和R8各自独立地表示氢原子、氟原子、烷基或被至少一个氟原子取代的烷基,当存在多个R7时,多个R7可以是相同的或不同的,并且当存在多个R8时,多个R8可以是相同的或不同的,
L表示二价连接基团,并且当存在多个L时,多个L可以是相同的或不同的,
A表示含有环状结构的有机基团,
x表示1至20的整数,
y表示0至10的整数,且
z表示0至10的整数。
4.根据权利要求1所述的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物,
其中,当通过(由式(1)表示的化合物中所含的全部氟原子的质量之和)/(由式(1)表示的化合物中所含的全部原子的质量之和)计算时,由式(1)表示的化合物的氟含量为0.25以下。
5.根据权利要求1所述的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物,
其中在式(1)中,R1表示萘基。
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