[发明专利]保护元件

权利要求书

1.一种保护元件，具有：

由PTC组成物形成、具有至少1个贯通开口部的PTC层状要素；

位于PTC层状要素的各主表面上的导电性金属薄层；和

位于规定该贯通开口部的至少1个的侧面上、将各主表面上的导电性金属薄层电连接的熔断器层，

其中所述熔断器层包括第1金属层和第2金属层，所述第1金属层具有第1厚度，所述第2金属层具有大于所述第1厚度的第2厚度，其中所述第2金属层设置在所述第1金属层与所述至少1个贯通开口之间。

2.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

第1金属层由高熔点金属构成，以及第2金属层由低熔点金属构成。

3.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

熔断器层由高熔点金属所构成的第1金属层以及低熔点金属所构成的第2金属层构成。

4.根据权利要求2或3所述的保护元件，其中，

高熔点金属是Ni。

5.根据权利要求2或3所述的保护元件，其中，

低熔点金属具有低于PTC组成物的聚合物材料的分解温度的熔点。

6.根据权利要求5所述的保护元件，其中，

低熔点金属是Sn、Sn-Cu合金、或者Sn-Bi合金。

7.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

第1金属层通过对高熔点金属进行无电解镀而形成，第2金属层通过在该第1金属层上对低熔点金属进行电解镀而形成。

8.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

第1金属层和第2金属层的厚度之比是1∶100～5∶1。

9.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

导电性金属薄层以及熔断器层通过对高熔点金属以及低熔点金属施镀而一体形成。

10.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

所述保护元件还具有：位于PTC层状要素与导电性金属薄层间的金属箔。

11.根据权利要求10所述的保护元件，其中，

金属箔是镍箔或者镍镀铜箔。

12.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

PTC层状要素是由内侧周面以及外侧周面规定的环状要素，具有由内侧周面规定的1个贯通开口部。

13.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

PTC层状要素是由内侧周面和外侧周面规定、具有至少2个贯通开口部的环状要素，这些贯通开口部是由内侧周面规定的中心贯通开口部以及位于内侧周面与外侧周面间的至少1个周边贯通开口部，周边贯通开口部具有熔断器层。

14.根据权利要求13所述的保护元件，其中，

在PTC层状要素中，绕着中心贯通开口部每45°地设置周边贯通开口部，设置8个。

15.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

PTC层状要素具有圆环状形状。

16.一种电气装置，其特征在于，具有权利要求1～15中任一项所述的保护元件。

17.一种二次电池单元，其特征在于，具有权利要求1～15中任一项所述的保护元件。

18.一种垫片，具有：

由PTC组成物形成、具有至少1个贯通开口部的PTC层状要素；

位于PTC层状要素的各主表面上的导电性金属薄层；和

位于规定该贯通开口部的至少1个的侧面上、将各主表面上的导电性金属薄层电连接的熔断器层，

其中所述熔断器层包括第1金属层和第2金属层，所述第1金属层具有第1厚度，所述第2金属层具有大于所述第1厚度的第2厚度，其中所述第2金属层设置在所述第1金属层与所述至少1个贯通开口之间。