[发明专利]用于利用非易失性存储器装置的备选引导路径支持有效

专利信息
申请号: 201380044863.2 申请日: 2013-06-24
公开(公告)号: CN104541280B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: N.V.萨让沙 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F21/70 分类号: G06F21/70;G06F9/24;G06F9/445
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杨美灵;张懿
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 利用 非易失性存储器 装置 备选 引导 路径 支持
【说明书】:

发明的实施例描述具体而言用于为计算装置提供备选引导路径的设备、系统和方法。在本发明的实施例中,默认情况下为非易失性控制器子系统上电以便在PCIe/USB枚举前允许对一个或更多个非易失性装置的存储器操作。诸如系统SPI控制器的逻辑接收访问SPI闪存装置以便执行固件映像指令的请求;然而,本发明的实施例不包括或不利用SPI闪存装置。主机SPI控制器将此请求重定向到非易失性控制器子系统,而不是通知SPI闪存装置。非易失性控制器访问一个或更多个非易失性装置以便执行固件映像指令。此外,本发明的实施例也可支持从主机控制器启动的到非易失性装置的存储操作的保护而防止硬件攻击。

技术领域

本发明的实施例一般涉及计算装置,并且更具体地说,涉及为计算装置提供备选引导路径。

背景技术

计算装置通常将串行外设接口(SPI)闪存装置用于固件映像存储;然而,随着对更快和更有效装置性能的需求增大,SPI闪存装置的性能成了限制因素。其它类型的存储器装置能够比现有SPI闪存解决方案更快和更有效地执行。需要的是一种支持用于固件映像的不同类型的非易失性存储器存储装置(即,闪存和非闪存装置),并且对计算装置的平台硬件设计更改极小的解决方案。

附图说明

下面的描述包括具有作为本发明的实施例的实现的示例给出的图示的图形的讨论。图形应理解为示例而不是限制。在本文中使用时,对一个或更多个“实施例”的引用要理解为描述在本发明的至少一个实现中包括的特定特征、结构或特性。因此,本文中出现的诸如“在一个实施例中”或“在一备选实施例中”等短语描述本发明的各种实施例和实现,并且不一定全部指相同的实施例。然而,它们也一定相互排它。

图1是根据本发明的一实施例的平台系统组件的框图。

图2A-图2B是根据本发明的实施例,用于为固件映像存储支持非易失性存储器装置的流程图。

图3是根据本发明的一实施例,用于为固件映像存储支持非易失性存储器装置的系统组件的框图。

图4是根据本发明的一实施例,为非易失性存储器装置启用安全密钥和计数器操作的系统组件的框图。

图5是根据本发明的一实施例,用于利用非易失性存储装置的客户端装置的框图。

下面是某些细节和实现的描述,包括可示出下面描述的一些或所有实施例的图形的描述以及讨论本文中所述发明性概念的其它可能实施例或实现。下面提供本发明的实施例的概述,之后是参照图形的更详细描述。

具体实施方式

本发明的实施例描述用于为非易失性(即,持久性)存储器装置提供备选引导路径支持的设备、系统和方法。在本发明的实施例中,默认情况下为持久性存储器装置控制器上电以便允许在外设组件互连快速(PCIe)枚举或通用串行总线(USB)枚举前定向到一个或更多个持久性存储器装置的存储器操作。所述持久性存储器装置包括非易失性存储器,如NAND闪存存储器和NOR闪存存储器;在一些实施例中,所述持久性存储器装置包括与闪存相比带有改进操作速度和预期寿命的其它类型的存储器,如相变存储器(PCM),包括相变存储器单元和开关(PCMS)的PCM、基于硅纳米线的非易失性存储器单元和铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)(即,带有在应用电场时交换极性的材料即“铁电”聚合物的硅纳米线)。

系统串行外设接口(SPI)SPI控制器(或备选,所述SPI控制器外的逻辑)接收访问SPI闪存装置以便从主机处理器执行固件映像指令的请求;然而,本发明的实施例不包括或不利用SPI闪存装置。主机SPI控制器将此请求重定向到非易失性存储器控制器,例如,PCIe/可扩展主机控制器接口(XHCI)/PCMS控制器子系统,而不是通知SPI闪存装置。PCIe/XHCI/PCMS控制器访问一个或更多个PCMS装置以允许主机处理器执行固件映像指令。

本发明的实施例修改初始化代码,使得所述PCIe/XHCI/PCMS控制器最初主要执行读取(例如,引导路径操作)。

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