[发明专利]铟制圆筒型溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种铟制圆筒型靶，被溅射的整个表面的平均晶粒径为1～20mm，对长度方向中央、一端部及另一端部，在圆周方向每旋转90°的部位分别测定的平均晶粒径的标准偏差均为6mm以下，

在被溅射的表面拥有具有直线状晶界的晶粒，该直线状晶界在形成晶粒的晶界的相邻角彼此用直线连结时所形成的线段的向垂线方向的突出低于0.1mm，且存在50μm以上的直线区域。

2.如权利要求1所述的铟制圆筒型靶，其中，

所述直线状晶界的至少一部分为重合晶界。

3.如权利要求2所述的铟制圆筒型靶，其中，

重合晶界的Σ值为7。

4.如权利要求1～3中任一项所述的铟制圆筒型靶，其中，

具有所述直线状晶界的晶粒的面积比率为5％以上。

5.如权利要求1～3中任一项所述的铟制圆筒型靶，其中，

被溅射的整个表面的平均晶粒径的标准偏差为6mm以下。

6.如权利要求1～3中任一项所述的铟制圆筒型靶，其中，

长度方向中央部、一端部及另一端部的3处的平均晶粒径的标准偏差为0.9mm以下。

7.一种铟制圆筒型靶的制造方法，其包含：铸造与支承管一体化的铟制圆筒型靶半成品的工序、以及遍及该半成品的整个长度方向沿径向实施总轧缩率为10％以上且为50％以下的塑性加工的工序，

其中，以所述铟制圆筒型靶半成品的圆周方向上的轧缩率的标准偏差为5以下的方式实施塑性加工，

所述总轧缩率为在一端部于圆周方向上每旋转90所测定的4处所测定的轧缩率的平均值，

所述圆周方向上的轧缩率的标准偏差通过以下方法算出：测定上述4处的铸造后靶厚度及塑性加工后的靶厚度，在各部位求出轧缩率，并算出4处的轧缩率的标准偏差。

8.如权利要求7所述的铟制圆筒型靶的制造方法，其中，

所述塑性加工通过选自由轧压、挤压及冲压组成的组中的任一种以上的手段来进行。

9.如权利要求7所述的铟制圆筒型靶的制造方法，其中，

以在支承管内插通芯棒的状态进行所述塑性加工。