[发明专利]导电结构及其制造方法

权利要求书

1.一种导电结构体，其包含：

基板；

导电层；

至少一个中间层；和

暗化层。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层设置在所述基板和所述暗化层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述基板和所述导电层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。

4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为20％以下。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为15％以下。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为10％以下。

7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层或所述暗化层的薄层电阻为0Ω/□以上且10Ω/□以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的消光系数k为0.2以上且2.5以下。

9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层和所述暗化层各自独立地包含选自金属的氧化物、金属的氮化物、金属的氮氧化物和金属的碳化物中的一种或者两种或多种，并且在所述中间层的全部组分中金属的原子百分比是在所述暗化层的全部组分中金属的原子百分比的一倍以上且2倍以下。

10.根据权利要求9所述的导电结构体，其中，所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、Al和Cu中的一种或者两种或多种。

11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层或所述暗化层包含介电材料和金属中的至少一种。

12.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述介电材料选自TiO_2-x、SiO_2-x、MgF_2-x和SiN_1.3-x(-1≤x≤1)，并且所述金属选自Fe、Co、Ti、V、Al、Mo、Cu、Au和Ag中的一种或者两种或多种的合金。

13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料，并且所述材料具有1×10^-6Ω·cm至30×10^-6Ω·cm的电阻率。

14.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或者两种或多种。

15.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层、所述中间层和所述导电层包含相同的金属。

16.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述暗化层包含铜的氧化物，并且在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比是在所述暗化层的全部组分中铜的原子百分比的1.01倍至1.62倍。

17.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层包含铜:氧的原子百分比是95:5至97:3的铜的氧化物，并且所述暗化层包含铜:氧的原子百分比是60:39至94:6的铜的氧化物。

18.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述暗化层包含铜的氧化物，并且当所述中间层在厚度方向上邻近所述暗化层时，所述中间层具有在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比降低的梯度，在所述中间层中铜:氧的平均原子百分比是95:5至97:3，并且在所述暗化层中铜:氧的平均原子百分比是60:39至94:6。

19.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铝，所述中间层包含在全部组分中氮的原子百分比大于0％且小于20％的铝的氮氧化物，并且所述暗化层包含在全部组分中氮的原子百分比为20％以上且45％以下的铝的氮氧化物。

20.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层的厚度是5nm至50nm。