[发明专利]触摸板以及用于制造该触摸板的方法在审

专利信息
申请号: 201380042069.4 申请日: 2013-04-02
公开(公告)号: CN104520791A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 洪范善;金佳让;李东建;李裁洪 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 唐京桥;陈炜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 触摸 以及 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种触摸板,包括:

基板;

传感器部,其包括在所述基板上的第一传感器部和第二传感器部;

连接电极,其包括连接每个传感器部的第一连接电极和第二连接电极;

所述基板上的光吸收层;以及

绝缘层,其布置在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间,

其中,所述第一传感器部沿第一方向延伸,而所述第二传感器部沿第二方向延伸,

其中,所述第一传感器部和所述第二传感器部形成在相同位置上,

其中,所述第一连接电极布置在所述绝缘层上,

其中,所述光吸收层包括第一光吸收层和第二光吸收层,所述第一光吸收层布置在所述绝缘层与所述第一连接电极之间,并且所述第二光吸收层布置在所述第一连接电极上,

其中,相比所述第一连接电极,所述第一光吸收层更加靠近所述基板,

其中,所述第一连接电极包括缓冲层和导电层,所述缓冲层包括导电金属,

其中,所述缓冲层包括从由镍(Ni)、铬(Cr)、镍-铬(Ni-Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)和钼(Mo)组成的组中选择的一个,

其中,所述光吸收层包括与构成所述缓冲层的导电金属对应的导电金属,

其中,所述第一光吸收层包括钼,并且钼的含量在60%以下,并且

所述光吸收层的平均反射率在380纳米至780纳米的波长带上为5%至10%。

2.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层包括从由导电金属的氧化物、氮化物和碳化物及其混合物组成的组中选择的一个。

3.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层还包括从由氧、氮和碳组成的组中选择的一个。

4.如权利要求3所述的触摸板,其中,构成所述光吸收层的导电金属占据关于构成所述光吸收层的整体材料的35%至50%。

5.如权利要求3所述的触摸板,其中,氧占据关于构成所述光吸收层的整体材料的30%至40%。

6.如权利要求5所述的触摸板,其中,氮占据关于构成所述光吸收层的整体材料的0%至10%。

7.如权利要求5所述的触摸板,其中,碳占据关于构成所述光吸收层的整体材料的0%至5%。

8.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层直接与所述基板相接触。

9.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层。

10.如权利要求9所述的触摸板,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层将所述导电层夹在其间。

11.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述导电层包括从由银、铜、金、钼和铝组成的组中选择的一个。

12.如权利要求1所述的触摸板,进一步包括电连接所述传感器部的电线,其中,所述光吸收层设置在所述电线之上,并且更加靠近所述基板,而不是所述电线。

13.一种触摸板,包括:

基板;

透明电极,其包括所述基板上的第一电极和第二电极,

光吸收层,其在所述基板上,

绝缘层,其在所述光吸收层上,

其中,所述第一电极包括多个第一传感器部和将所述第一传感器部相互连接的第一连接电极部,

其中,所述第二电极包括多个第二传感器部和将所述第二传感器部相互连接的第二连接电极部,

其中,所述第一传感器部和所述第二传感器部形成在相同位置上,

其中,所述第一连接电极部布置在所述绝缘层下,而所述第二连接电极部布置在所述绝缘层上,

其中,所述光吸收层包括第一光吸收层和第二光吸收层,所述第一光吸收层布置在所述基板与所述第一连接电极部之间,并且所述第二光吸收层布置在所述第一连接电极部与所述绝缘层之间,

其中,相比所述第一连接电极部和所述第二连接电极部,所述第一光吸收层更加靠近所述基板,

其中,所述第一连接电极部包括缓冲层和导电层,所述缓冲层包括导电金属,

其中,所述缓冲层包括从由镍(Ni)、铬(Cr)、镍-铬(Ni-Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)和钼(Mo)组成的组中选择的一个,

其中,所述光吸收层包括与构成所述缓冲层的导电金属对应的导电金属,

其中,所述第一光吸收层包括钼,并且钼的含量在60%以下,并且

所述光吸收层的平均反射率在380纳米至780纳米的波长带上为5%至10%。

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