[发明专利]电阻变化存储器元件

权利要求书

1.一种电阻变化存储器元件，其包括：

电阻变化绝缘膜；

源极电极，其配置在所述电阻变化绝缘膜的第1主面上；

漏极电极，其配置在所述第1主面上；及

栅极电极，其配置在与所述第1主面上相向的所述电阻变化绝缘膜的第2主面上。

2.根据权利要求1所述的电阻变化存储器元件，其特征在于：在所述源极电极与所述漏极电极之间具有绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的电阻变化存储器元件，其特征在于：使所述栅极电极的电位高于所述源极电极及所述漏极电极的电位而进行删除动作。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电阻变化存储器元件，其特征在于：与所述电阻变化绝缘膜的积层方向正交地配置所述源极电极与所述漏极电极。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电阻变化存储器元件，其特征在于：将具有2×10²¹cm^-3以上的氧空位(Vo)的铝氧化膜、或过渡金属以外的金属氧化膜用作所述电阻变化绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的电阻变化存储器元件，其特征在于：所述过渡金属为Zn、In、Ga。