[发明专利]太阳能电池单元有效
申请号: | 201380040564.1 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN104521008B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | V·科伦科;I·兹林扎克 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02;H01L31/054 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 单元 | ||
1.一种太阳能电池单元(10),其具有:
构造为太阳能电池的半导体本体(20),所述半导体本体具有正侧和背侧以及构造在所述正侧与所述背侧之间的侧面(28),所述正侧具有第一电连接部,所述背侧具有第二电连接部;
具有上侧和下侧的载体(30),所述载体(30)在所述上侧上具有构造为所述载体(30)的一部分的第一印制导线区域(40)并且所述第一电连接部与所述第一印制导线区域(40)电连接,并且所述载体(30)在所述上侧上具有构造为所述载体(30)的一部分的第二印制导线区域(45)并且所述第二电连接部与所述第二印制导线区域(45)电连接;
二次光学元件(22),所述二次光学元件具有下侧(24),其中,所述二次光学元件(22)将光引导到所述半导体本体(20)的正侧上,
其特征在于,
所述二次光学元件(22)在所述整个下侧(24)上具有平的表面,其中,所述平的表面的一部分设置在所述半导体本体(20)的正侧上方并且所述下侧(24)的一部分具有与所述下侧(24)材料锁合连接的第一增附剂层(25),并且至少在所述第一增附剂层(25)和所述半导体本体(20)的正侧之间构造有聚合物粘合剂层。
2.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,在所述聚合物粘合剂层和所述半导体本体(20)的正侧之间构造有第二增附剂层(50)并且所述第二增附剂层(50)与所述半导体本体(20)的正侧材料锁合地连接。
3.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述聚合物粘合剂层作为浇注材料构造在整个下侧(24)上并且形状锁合地覆盖所述半导体本体(20)的正侧和所述半导体本体(20)的侧面(28)。
4.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述第一增附剂层(25)与所述二次光学元件(22)的整个下侧(24)上的表面材料锁合地连接。
5.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述聚合物粘合剂层在所述二次光学元件(22)的下侧上在侧面凸出。
6.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述聚合物粘合剂层覆盖与所述二次光学元件(22)的下侧(24)连接的侧表面的一部分。
7.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述聚合物层包括硅化合物。
8.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述第一增附剂层(25)和/或所述第二增附剂层(50)具有与所述聚合物粘合剂层相比不同的化学组分。
9.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,在所述载体(30)的上侧上设置有旁路二极管(47)并且所述旁路二极管(47)设置在所述二次光学元件(22)的下侧和所述载体(30)之间并且由所述聚合物粘合剂层完全覆盖。
10.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述载体(30)具有比所述二次光学元件(22)更大的横向延展。
11.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述二次光学元件(22)以半椭圆体的形式构造。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的太阳能电池元件(10),其特征在于,所述二次光学元件(22)具有环绕的阶梯状的凸缘(23)。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的太阳能电池元件(10),其特征在于,所述二次光学元件(22)金字塔锥形地或漏斗形地构造。
14.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述二次光学元件(22)整体由无机材料、优选由石英玻璃化合物构造。
15.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池单元(10),其特征在于,所述二次光学元件(22)将通过构造在所述二次光学元件(22)上方的一次光学元件汇聚的光引导到所述半导体构件(20)的正侧上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的