[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.半导体装置的制造方法，该方法包括：

在碳化硅（SiC）半导体基板（4）的表面上形成绝缘层；

在所述绝缘层的表面上形成具有开口的抗蚀层（40）；

除去通过所述抗蚀层（40）的所述开口而暴露的区域中的绝缘层；

在除去所述绝缘层之后，通过使作为电极材料的金属在所述SiC半导体基板（4）的表面上和当抗蚀层形成在绝缘层上时在该抗蚀层的表面上沉积，形成电极金属层；

在形成所述电极金属层之后，除去其上沉积有电极金属层的抗蚀层（40）；

在除去所述抗蚀层（40）之后，通过蚀刻，使形成在所述绝缘层中的开口的内壁表面与所述电极金属层之间的间隙加宽；并且

在进行了所述蚀刻之后，通过加热所述SiC半导体基板（4）与所述电极金属层，使所述电极金属层与所述SiC半导体基板（4）之间形成欧姆接触；其中

所述形成电极金属层包括：

通过使与所述SiC半导体基板（4）形成欧姆接触的金属材料沉积在所述SiC半导体基板（4）的表面和所述抗蚀层的表面上，形成欧姆电极层（52）；以及

在形成所述欧姆电极层（52）之后，通过使保护所述欧姆电极层（52）的金属材料沉积在所述欧姆电极层（52）的一面侧上，形成保护性金属层（56），其中在所述绝缘层的蚀刻中，

进一步蚀刻所述欧姆电极层（52）的侧壁，不蚀刻所述保护性金属层（56），并且，以不低于所述保护性金属层（56）的熔点的温度进行所述加热。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述蚀刻是使用蚀刻溶液的湿法蚀刻，并且

其中，用于所述保护性金属层（56）的蚀刻溶液的蚀刻速率低于用于所述绝缘层的蚀刻溶液的蚀刻速率，还低于用于所述欧姆电极层的蚀刻溶液的蚀刻速率。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，进一步包括：在形成所述欧姆电极层与形成所述保护性金属层之间，通过使能吸附碳的金属材料沉积在所述欧姆电极层的表面上，形成碳吸附金属层。