[发明专利]加工对象物切断方法有效
| 申请号: | 201380039963.6 | 申请日: | 2013-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN104508799B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 田力洋子;山田丈史 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/38;B23K26/40 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加工 对象 切断 方法 | ||
1.一种加工对象物切断方法,其特征在于,
是用于将加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法,所述加工对象物具备单晶蓝宝石基板、以及元件层,所述单晶蓝宝石基板具有与c面形成角度的表面和背面,该角度是达到偏角的角度,所述元件层在所述表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部,
具备:
第1工序,其以所述背面作为所述单晶蓝宝石基板中的激光的入射面,将所述激光的聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内,使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的m面和所述背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条相对地移动,由此沿着各条所述第1切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域,并且使从所述第1改质区域产生的第1龟裂到达所述背面;以及
第2工序,其在所述第1工序之后,沿着各条所述第1切断预定线使外力作用于所述加工对象物,由此使所述第1龟裂伸展,并沿着各条所述第1切断预定线切断所述加工对象物,
在所述第1工序中,在以在相邻接的所述发光元件部间从在与所述m面平行的方向上延伸的格线区域的中心线至将所述聚光点对准的位置为止的从与所述背面垂直的方向看的情况下的距离为ΔY,所述单晶蓝宝石基板的厚度为t,从所述背面至将所述聚光点对准的位置为止的距离为Z,所述格线区域的宽度为d,所述表面的所述第1龟裂的蛇行量为m,垂直于所述背面的方向与所述第1龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下,以满足ΔY=(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式,以所述背面作为所述入射面,将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内,使所述聚光点沿着各所述第1切断预定线相对地移动。
2.如权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于,
在所述第2工序中,沿着各条所述第1切断预定线从所述表面侧将刀缘抵接在所述加工对象物,由此沿着各条所述第1切断预定线使外力作用于所述加工对象物。
3.如权利要求1或2所述的加工对象物切断方法,其特征在于,
进一步具备:
第3工序,其在所述第2工序之前,以所述背面作为所述入射面,将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内,并使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的a面和所述背面平行的方式设定的多条第2切断预定线的各条相对地移动,由此沿着各条所述第2切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第2改质区域;以及
第4工序,其在所述第1工序和所述第3工序之后,沿着各条所述第2切断预定线使外力作用于所述加工对象物,由此使从所述第2改质区域产生的第2龟裂伸展,并沿着各所述第2切断预定线切断所述加工对象物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





