[发明专利]以低温退火进行的电化学装置制造工艺

权利要求书

1.一种制造电化学装置的方法，所述方法包括：

在沉积腔室中利用溅射沉积工艺，在基板之上沉积LiCoO₂层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度高于约22℃，且溅射靶材包括LiCoO₂；和

退火处理所述LiCoO₂层，其中退火温度低于或等于约450℃，并且其中经退火处理的所述LiCoO₂层的特征在于，利用拉曼光谱在约593cm^-1处、峰FWHM小于或等于约12cm^-1的A_1g模式峰。

2.一种制造电化学装置的方法，所述方法包括：

在沉积腔室中利用物理气相沉积(PVD)工艺，在基板之上沉积电极层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度高于约22℃；和

退火处理所述电极层，使所述电极层结晶，其中退火温度低于或等于约450℃。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述电极层包括选自由氧化锂钴、氧化铝钴镍、氧化锰钴镍、尖晶石基氧化物、橄榄石基磷酸盐和钛酸锂构成的组的材料。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述腔室压力大于或等于约15mTorr。

5.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述腔室压力大于或等于约30mTorr。

6.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述腔室压力小于或等于约100mTorr。

7.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述基板温度高于约450℃。

8.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述基板温度在约22℃与约450℃之间。

9.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述基板温度在约22℃与约300℃之间。

10.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述退火温度低于或等于约400℃。

11.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述沉积是在氩气与氧气环境中进行，且基于Ar：O₂流量的比例大于约80％。

12.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述电化学装置为薄膜电池。

13.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述退火处理是在所述沉积腔室中进行。

14.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述PVD工艺为溅射沉积工艺。

15.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述PVD工艺为热沉积工艺。