[发明专利]声滤波器有效

专利信息
申请号: 201380039102.8 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN104488287B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: J·西尔弗;J·J·温德尔 申请(专利权)人: 伯斯有限公司
主分类号: H04R1/28 分类号: H04R1/28;H04R1/30
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及扬声器设计。

背景技术

扬声器的频率响应具有扬声器的输出频谱响应于激励的特征。频率响应通常在幅度响应和相位响应的方面被分析。通常而言,对于扬声器而言理想的是具有尽可能平坦的幅度响应,这意味着没有一个频率相对于其它频率是被显著放大或衰减的。

发明内容

在一个方面,一般而言,扬声器元件包括外壳;位于外壳以内的驱动器元件的锥体膜片;从驱动器元件的锥体膜片延伸至喉部开口的第一腔体壁,该喉部开口具有小于锥体膜片的面积的面积,并且该第一腔体壁在外壳以内形成第一腔体;从喉部开口延伸至外壳以外的环境的出口元件;以及从第一腔体壁延伸的阻抗补偿元件,该阻抗补偿元件包括在外壳以内形成第二腔体的第二腔体壁以及将第二腔体从第一腔体分开的阻性元件。

多个方面可以包括一个或多个以下特征。

阻抗补偿元件可以在紧密接近于驱动器元件的锥体膜片的位置从第一腔体壁延伸。阻性元件可以是屏障材料的形式的声阻元件。阻性元件可以是泡沫材料的形式的声阻元件。

阻抗补偿元件可以包括谐振补偿元件。谐振补偿元件可以包括第一集总元件谐振结构。第一集总元件谐振结构可以包括第二腔体、阻性元件、在外壳以内形成第三腔体的第三腔体壁、以及将第三腔体从第二腔体分开的无源辐射器元件。阻性元件可以是屏障材料的形式的声阻元件。

第一集总元件谐振结构可以包括第二腔体、声阻元件、在外壳以内形成第三腔体的第三腔体壁、以及将第二腔体连接至第三腔体的接口元件。阻性元件可以是屏障材料的形式的声阻元件。阻性元件可以是泡沫材料的形式的声阻元件。

第一集总元件谐振结构可以包括无源辐射器元件并且阻性元件可以是与无源辐射器元件相关联的机械阻性元件。

谐振补偿元件可以包括多个集总元件谐振结构。该多个集总元件谐振结构可以包括在外壳以内形成多个腔体的多个腔体壁;将多个腔体中的一个或多个从第一腔体分开的一个或多个声阻元件;以及将多个腔体中的至少一些从彼此分开的多个无源辐射器元件。

该多个集总元件谐振结构可以包括在外壳以内形成多个腔体的多个腔体壁;将多个腔体中的一个或多个从第一腔体分开的一个或多个声阻元件;以及将多个腔体中的至少一些连接至彼此的多个接口元件。

谐振补偿元件可以包括分布式谐振结构。第二腔体可以是细长的。第二腔体可以是锥形的。阻性元件可以是屏障材料的形式的声阻元件。阻性元件可以是泡沫材料的形式的声阻元件。

扬声器元件可以包括位于第一腔体以内的相位锥(phase plug)。该多个集总元件谐振结构可以包括在外壳以内形成多个腔体的多个腔体壁;将多个腔体中的一个或多个从第一腔体分开的一个或多个声阻元件;将多个腔体中的至少一些连接至彼此的一个或多个接口元件;以及将多个腔体中的至少一些从彼此分开的一个或多个无源辐射器元件。

从以下说明书中以及从权利要求书中,本发明的其它特征和优点是明显的。

附图说明

图1是压缩扬声器组件的截面。

图2是包括第一阻抗补偿元件的压缩扬声器组件的截面图。

图3是图2的扬声器组件的频率响应的绘图。

图4是图2的扬声器组件在声阻被改变时的声功率辐射敏感度的绘图。

图5是图2的扬声器组件在声阻被改变时的声功率辐射敏感度的绘图。

图6是具有大附加体积的图2的扬声器组件在声阻被改变时的声功率辐射敏感度的绘图。

图7是具有大附加体积的图2的扬声器组件在声阻被改变时的声阻抗的绘图。

图8是具有小附加体积的图2的扬声器组件在声阻被改变时的声功率辐射敏感度的绘图。

图9是图2的扬声器组件在小附加体积被改变时的声功率辐射敏感度的绘图。

图10是包括第二阻抗补偿元件的压缩扬声器组件的截面图。

图11是图10的扬声器组件的仿真图。

图12是图10的扬声器组件的声功率辐射敏感度的绘图。

图13是图10的扬声器组件的声阻抗的绘图。

图14是包括第三阻抗补偿元件的压缩扬声器组件的截面图。

图15是图14的扬声器组件的仿真图。

图16是图14的扬声器组件的声功率辐射敏感度的绘图。

图17是图14的扬声器组件的声阻抗的绘图。

图18是包括第四阻抗补偿元件的压缩扬声器组件的截面图。

图19是包括第五阻抗补偿元件的压缩扬声器组件的截面图。

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