[发明专利]对光伏装置提供氯化物处理的方法和氯化物处理过的光伏装置

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括下述步骤：

在基底上沉积碲化镉层；

使用氯化物化合物对碲化镉层进行处理，所述氯化物化合物包括从由1族-11族的元素、锌、汞和鎶组成的组中选择的一种或更多种元素；

将碲化镉层退火；以及

在沉积碲化镉之后，在碲化镉层上沉积半导体反射层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，与碲化镉层的氯化镉处理相比，所述氯化物化合物减少半导体反射层的腐蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体反射层包括碲化锌。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积半导体反射层之后对碲化镉层进行处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在半导体反射层沉积的至少一部分期间对碲化镉层进行处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在对碲化镉层进行处理之后将碲化镉层退火。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理步骤的至少一部分期间将碲化镉层退火。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氯化物化合物包括氯化锰。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氯化物化合物包括氯化镁。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在碲化镉层沉积的至少一部分期间对碲化镉层进行处理。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积碲化镉层之后对碲化镉层进行处理。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理步骤的至少一部分期间将碲化镉层退火。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，在对碲化镉层进行处理之后将碲化镉层退火。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，在大约350℃至大约750℃的温度下将碲化镉层退火。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在大约400℃至大约460℃的温度下将碲化镉层退火。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在大约415℃至大约455℃的温度下将碲化镉层退火。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在大约435℃至大约445℃的温度下将碲化镉层退火。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氯化物化合物包括大约0.14M至大约2.18M的水溶液。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述氯化物化合物包括大约0.5M至大约1.2M的水溶液。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，将碲化镉层退火大约7分钟至大约12分钟。

21.根据权利要求10所述的方法，其中，在大约400℃至大约750℃的温度下将碲化镉层退火。

22.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

处理过的碲化镉层，所述处理过的碲化镉层用氯化物化合物处理过，所述氯化物化合物包括从由1族-11族的元素、锌、汞和鎶组成的组中选择的一种或更多种元素。

23.根据权利要求22所述的装置，所述装置还包括：

半导体反射层，位于碲化镉层上；以及

背接触层，位于半导体反射层上。

24.根据权利要求22所述的装置，其中，所述氯化物化合物包括氯化锰。

25.根据权利要求22所述的装置，其中，所述氯化物化合物包括氯化镁。

26.根据权利要求23所述的装置，其中，半导体反射层包括碲化锌。