[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201380038555.9 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104508548B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明的一个实施方式涉及显示装置及该显示装置的制造方法。
背景技术
用于大多数液晶显示装置或以利用电致发光(EL:Electro Luminessence)的发光显示装置为代表的平板显示器等显示装置的晶体管都包含形成于玻璃衬底上的如非晶硅、单晶硅或多晶硅等的半导体。
代替上述硅半导体,将呈现半导体特性的氧化物(以下称为氧化物半导体)用于晶体管的技术受到关注。
例如,已公开了使用In-Ga-Zn氧化物层作为氧化物半导体来制造晶体管并将该晶体管用作显示装置的像素的开关元件等的技术(参照专利文献1)。
[参考文献]
[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报
发明内容
在沟道形成区中包含氧化物半导体的晶体管中,当如氢或水分等杂质侵入氧化物半导体时,载流子生成,因此晶体管的电特性变动。
为此,在包含于显示装置的晶体管中,当如氢或水分等杂质从设置于晶体管上的有机绝缘膜非特意地侵入晶体管的半导体层时,半导体层的载流子密度增加,由此晶体管的电特性变动。
另外,有当晶体管的特性变动时显示装置的显示质量下降且可靠性降低的问题。
鉴于上述观点,本发明的一个实施方式的目的是抑制包含在显示装置中的晶体管的电特性变动来提高可靠性。另一个目的是抑制包含晶体管的显示装置的显示质量的下降来提高可靠性。
本发明的一个实施方式的显示装置包括晶体管、为了减少因该晶体管导致的不均匀度而设置于晶体管上的有机绝缘膜、以及有机绝缘膜上的电容器。通过采用电容器的构成要素(透明导电层及无机绝缘膜)不覆盖整个有机绝缘膜的表面的结构,从有机绝缘膜释放出的气体(也称为释放气体)可以从该有机绝缘膜的上表面的部分释放至有机绝缘膜的外部。
本发明的一个实施方式是显示装置,该显示装置包括像素部,该像素部包括晶体管、覆盖晶体管的第一无机绝缘膜、第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜、有机绝缘膜上的第一透明导电层、第一透明导电层上的第二无机绝缘膜、隔着第二无机绝缘膜至少设置在第一透明导电层上并在有机绝缘膜及第一无机绝缘膜中形成的开口中与晶体管的源电极层或漏电极层电连接的第二透明导电层、以及第二透明导电层上的液晶层。在像素部中,第二无机绝缘膜的边缘部位于与有机绝缘膜重叠的区域中。
当第二无机绝缘膜的边缘部位于与有机绝缘膜重叠的区域中时,有机绝缘膜具有不与第二无机绝缘膜重叠的区域。由此,来自有机绝缘膜的释放气体可以从与第二无机绝缘膜不重叠的有机绝缘膜的露出区域向上方释放出。
另外,在上述结构中,有机绝缘膜的不与第二无机绝缘膜重叠的区域也可以与晶体管重叠。
本发明的另一个实施方式是显示装置,该显示装置包括晶体管、覆盖晶体管的第一无机绝缘膜、第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜、有机绝缘膜上的第一透明导电层、第一透明导电层上的第二无机绝缘膜、隔着第二无机绝缘膜至少设置在第一透明导电层上并在有机绝缘膜及第一无机绝缘膜中形成的开口中与晶体管的源电极层或漏电极层电连接的第二透明导电层、以及第二透明导电层上的液晶层。液晶层与有机绝缘膜至少部分接触。
另外,在上述结构中,液晶层与有机绝缘膜也可以在与晶体管重叠的区域中彼此接触。
晶体管可以是沟道形成于氧化物半导体层中的晶体管。
第一无机绝缘膜及第二无机绝缘膜均优选为氮化硅膜或氮氧化硅膜。
有机绝缘膜优选为包含丙烯酸树脂(acrylic)的膜。通过使用如丙烯酸树脂等有机树脂,可易于形成平坦的表面。
优选的是,第二无机绝缘膜与第一透明导电层或第二透明导电层之间的折射率之差小于或等于第一透明导电层或第二透明导电层的折射率的10%,优选小于或等于5%。另外,具有有机绝缘膜与透明导电层的折射率之间的折射率的膜优选形成在有机绝缘膜与第一透明导电层之间。
在上述显示装置中,液晶层的取向根据第一透明导电层和第二透明导电层之间产生的电场而控制。
另外,优选的是,第一无机绝缘膜与第二无机绝缘膜至少部分接触。
根据本发明的一个实施方式,可以抑制包含在显示装置的晶体管的电特性变动,从而可以得到高可靠性。此外,可以抑制包含晶体管的显示装置的显示质量的下降,由此可以得到高可靠性。
附图说明
在附图中:
图1A和1B分别是示出本发明的一个实施方式的显示装置的俯视图及截面图;
图2A至2C是示出本发明的一个实施方式的显示装置的俯视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380038555.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用群组稀疏性分析来识别关键帧
- 下一篇:流体阀