[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法

权利要求书

1.一种钝化层形成用组合物，其包含：至少一种下述通式(I)所示的烷醇盐；选自钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂，

M(OR¹)m  (I)

通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素，R¹表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

2.根据权利要求1所述的钝化层形成用组合物，其中，至少一种所述通式(I)所示的烷醇盐为M包含Nb的烷醇盐。

3.根据权利要求1所述的钝化层形成用组合物，其中，至少一种所述通式(I)所示的烷醇盐为M包含Ta、V、Y或Hf的烷醇盐。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的钝化层形成用组合物，其还包含至少一种下述通式(II)所示的铝化合物，

通式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述选自钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物至少包含所述钛化合物，所述钛化合物为选自甲醇钛、乙醇钛、异丙醇钛、正丙醇钛、正丁醇钛、叔丁醇钛、异丁醇钛、二异丙氧基双乙酰丙酮钛及四(2-乙基-1-己醇)钛中的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述选自钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物至少包含所述锆化合物，所述锆化合物为选自乙醇锆、异丙醇锆、正丙醇锆、正丁醇锆、叔丁醇锆、乙酰丙酮锆、三氟乙酰丙酮锆及六氟乙酰丙酮锆中的至少一种。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述选自钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物至少包含所述烷醇硅，所述烷醇硅为下述通式(III)所示的烷醇硅，

(R⁶O)_(4-m)SiR⁷_m  (III)

通式(III)中，R⁶及R⁷分别独立地表示碳数1～8的烷基，m表示0～3的整数。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，在所述钝化层形成用组合物的总质量中，至少一种通式(I)所示的化合物、选自钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物以及至少一种通式(II)所示的化合物的含有率为0.1质量％～80质量％。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述溶剂及树脂的总含有率在所述钝化层形成用组合物的总质量中为5质量％～98质量％。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的钝化层形成用组合物，其用于在半导体基板上的整面或一部分形成钝化层。

11.一种带钝化层的半导体基板，其具有半导体基板和设置于所述半导体基板上的整面或一部分的、权利要求1～10中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物层。

12.一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其包括：

对半导体基板上的整面或一部分赋予权利要求1～10中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

13.一种太阳能电池元件，其具有：

将p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板；

设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化层，所述钝化层为权利要求1～10中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物层；和

设置于所述p型层及n型层中的至少一方的层上的电极。

14.一种太阳能电池元件的制造方法，其包括：

对将p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板的整面或一部分，赋予权利要求1～10中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序；和

在所述p型层及n型层中的至少一方的层上形成电极的工序。