[发明专利]在电极上设有导电体突出部的介质阻挡放电式的等离子产生电极结构有效

专利信息
申请号: 201380037414.5 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN104756334B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 孙熙植 申请(专利权)人: SP技术有限公司
主分类号: H01T19/04 分类号: H01T19/04;H01T23/00
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司11234 代理人: 宋义兴,赵婷
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电极 设有 导电 突出 介质 阻挡 放电 等离子 产生 结构
【权利要求书】:

1.一种介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,包括:

上部导电电极和下部导电电极;

至少一个导电电极突出部,形成于彼此相向设置的所述上部导电电极和下部导电电极的至少一个内侧表面上;

电介质层,形成于彼此相向设置的所述上部导电电极和下部导电电极的至少一个内侧表面上并具有大体均匀的厚度;以及

预先确定的间隔(d),当所述上部导电电极和下部导电电极彼此紧密接触时,借助于所述导电电极突出部的突起效果,该间隔(d)形成于所述上部导电电极 和下部导电电极中的一个导电电极与相对的电介质层之间或形成于彼此相向设置的电介质层之间;

电介质层突出部,在所述导电电极突出部上部以均匀的厚度形成有电介质,

其中,在所述上部导电电极和下部导电电极上施加脉冲或交流电源,以在它们之间产生等离子。

2.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述脉冲或交流电源脉冲宽度为100μs以下,而电压为1000V以下。

3.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述电极结构在所述预先确定的间隔(d)中产生放电电流为20mA以下的等离子。

4.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述导电电极突出部的高度为1000μm以下。

5.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述导电电极突出部具有的形状选自于由圆形、多边形、椭圆形以及它们的组合所构成的集合,所述导电电极突出部的形成方法则选自金属成型加工方法。

6.根据权利要求5所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述多边形为四边形或星形,所述金属成型加工方法为冲压加工、蚀刻加工或焊接加工。

7.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述上部导电电极或下部导电电极具有栅格形状。

8.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述电极结构具有形成在选自所述上部导电电极、下部导电电极、所述电介质层中的至少一个位置上的通孔,所述通孔的形状选自于由圆形、椭圆形、多边形以及它们的组合所构成的集合。

9.根据权利要求8所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述多边形为四边形或星形。

10.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述电介质层通过至少一种方式形成,所述方式选自于由涂覆、沉渍以及它们的组合所构成的集合。

11.根据权利要求10所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述涂覆方式为喷镀或丝网印刷。

12.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述电极结构包括一层或多层电介质,各个电介质层由相同或不同材质制成。

13.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述电极结构还包括有形成在选自于所述上部导电电极的表面、下部导电电极表面及电介质层的表面中的至少一个表面上的至少一种层结构,该层结构选自于由保护涂覆层、其他电介质层以及特殊功能层所构成的集合。

14.根据权利要求13所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,所述特殊功能层为除臭氧功能层、除味功能层或绝缘层。

15.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,在所述预先确定的间隔(d)填充有至少一种绝缘层,所述绝缘层由选自于由陶瓷、玻璃、聚合物以及它们的组合构成的集合中的材料制成。

16.根据权利要求1所述的介质阻挡放电式等离子产生电极结构,其特征在于,两个以上的所述电极结构以串联形态间隔排列,或者所述电极结构之间绝缘且彼此相互接触,或者通过交替的电极性,而使两个以上的电极结构得以堆栈,或者以相互平行的形态布置。

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