[发明专利]中子产生装置用的靶及其制造方法

权利要求书

1.一种中子产生装置用的靶，在该中子产生装置用的靶中，向作为靶材的锂照射由加速器加速后的质子束，利用⁷Li(p、n)⁷Be反应产生中子，其特征在于，所述中子产生装置用的靶具有：

金属基板，其保持所述靶材；以及

密封金属薄膜，其在所述金属基板上的保持所述靶材的保持面侧，对所述靶材进行密封，

在所述金属基板的所述保持面侧具有：

边框部；以及

凹凸结构，在该凹凸结构中，在被该边框部围着的内部保留有与所述边框部相同高度的分散配置的多个岛部，使得所述边框部和所述多个岛部以外的其它区域成为减薄了所述靶材的厚度的量后的凹部，

所述密封金属薄膜与所述边框部的表面以及所述多个岛部的表面接合，

所述靶材被所述密封金属薄膜密封到所述金属基板的所述凹部中。

2.根据权利要求1所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，

所述凹凸结构中的被减薄的凹部由多个圆形凹部和将相邻的所述圆形凹部彼此相互连通的连通凹部构成，其中，

所述多个圆形凹部在被所述边框部围着的内侧按六边形配置，且在俯视时具有圆形状。

3.根据权利要求1所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，

在所述凹部的底面上设置有提高所述靶材与所述金属基板的附着性的附着促进层。

4.根据权利要求3所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，

所述附着促进层是铜、铝、镁或锌的薄膜层。

5.根据权利要求1所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，

所述金属基板在与所述保持面侧相反侧的面侧设有多条供冷却材料流过的冷却材料流路。

6.根据权利要求1所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，

所述金属基板由铁或钽构成，

所述密封金属薄膜由不锈钢薄板、钛薄板、钛合金薄板、铍薄板或铍合金薄板构成。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的中子产生装置用的靶，其特征在于，所述凹凸结构中的岛部含有1～20％质量百分比的Cu、20～40％质量百分比的Al或45～60％质量百分比的Mg中的任意一种，其余部分由包含Li和不可避免的杂质的锂合金构成。

8.一种中子产生装置用的靶的制造方法，在该中子产生装置用的靶中，向作为靶材的锂照射由加速器加速后的质子束，利用⁷Li(p、n)⁷Be反应产生中子，其特征在于，所述中子产生装置用的靶的制造方法具有如下工序：

凹凸结构加工工序，在保持所述靶材的金属基板的保持所述靶材的保持面侧形成凹凸结构以及用于密封所述靶材的边框部，在该凹凸结构中，在被该边框部围着的内侧保留有与所述边框部相同高度的分散配置的多个岛部，使得该岛部以外的其它区域成为减薄了所述靶材的厚度的量后的凹部；

附着促进层形成工序，在所述凹部的底面形成提高所述靶材和所述金属基板的附着性的附着促进层，

靶材填充工序，使所述靶材熔融而填充到所述保持面侧的所述凹部中；以及

接合工序，在所述靶材填充工序之后，利用热等静压HIP处理，在所述保持面侧的所述边框部和所述岛部的表面上接合密封金属薄膜，该密封金属薄膜将所述靶材密封到所述金属基板的所述凹部中。