[发明专利]硅＜100＞的自支撑层的分离

权利要求书

1.一种用于分离结晶取向<100>的硅的自支撑层的方法，所述方法具体地为了在光伏领域中应用的目的，其中，所述方法包括以下步骤：

a)将离子物质注入由具有结晶取向<100>的硅制成的基板中以便在所述基板中产生脆化平面，在两侧上定界出所述基板的自支撑层和底板，以及

b)以大于30℃/s的温度升高对在步骤a)中注入的所述基板施加热处理以便分离硅的所述自支撑层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度升高包括在50℃/s至100℃/s之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述热处理同时施加在步骤a)中注入的整个基板上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过辐射、传导或对流方法中的一种将所述热处理同时施加在步骤a)中注入的整个基板上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述热处理直到包括在550℃至800℃之间的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的所述离子物质从氢获得。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的离子物质的剂量小于或等于1.10¹⁷原子/cm²。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的离子物质的剂量小于或等于8.10¹⁶原子/cm²。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的离子物质的剂量小于或等于7.10¹⁶原子/cm²。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入的步骤以这种能量实施使得分离的所述自支撑层的厚度包括在10至100微米之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入的步骤以这种能量实施使得分离的所述自支撑层的厚度包括在15至50微米之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子物质注入的步骤以大于1MeV的能量实施。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入的步骤在结晶取向<100>的硅基板中实施，显示出大于或等于700微米的厚度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入的步骤在结晶取向<100>的硅基板中实施，显示出包括在1至50毫米之间的厚度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括在步骤b)之后实施的步骤c)，所述步骤c)由下述构成：在先前实施的步骤b)中获得的由具有结晶取向<100>的硅制成的基板的底板中重复步骤a)和b)，以便分离新的硅的自支撑层。