[发明专利]包含非离子表面活性剂和碳酸盐的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.化学机械抛光(CMP)组合物(Q)，包含：

(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒为茧状，

(B)非离子表面活性剂，

(C)碳酸盐或碳酸氢盐，

(D)醇，和

(M)含水介质。

2.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述醇(D)为具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。

3.根据权利要求1或2的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(E)氧化剂。

4.根据权利要求1-3中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(F)缓蚀剂。

5.根据权利要求1-4中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(G)螯合剂。

6.根据权利要求1-5中任一项的CMP组合物，其中颗粒(A)为茧状二氧化硅颗粒。

7.根据权利要求1-6中任一项的CMP组合物，其中非离子表面活性剂(B)为含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂。

8.根据权利要求1-7中任一项的CMP组合物，其中碳酸盐(C)为碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐。

9.根据权利要求1-8中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物进一步包含(G)无机或有机酸作为螯合剂。

10.根据权利要求1-9中任一项的CMP组合物，其中组合物的pH值为8-12。

11.根据权利要求1-10中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)包含：

(A)茧状二氧化硅颗粒，

(B)含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂，

(C)碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐，

(D)具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇，

(E)氧化剂，

(F)缓蚀剂，

(G)螯合剂，和

(M)含水介质。

12.一种制备半导体装置的方法，所述方法包括在如权利要求1-11中任一项定义的CMP组合物存在下将在半导体工业中使用的基底(S)化学机械抛光。

13.如权利要求1-11中任一项定义的CMP组合物在化学机械抛光在半导体工业中使用的基底(S)中的用途。

14.根据权利要求13的用途，其中基底(S)包括：

(i)铜，和/或

(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金。