[发明专利]AB类两级运算放大器

权利要求书

1.一种用于驱动负载(R_LB、R_LA)的AB类两级运算放大器(400)，包括：

-输入级(401)，所述输入级包括差分输入端子(I_N、I_P)、第一差分输出端子(O1P)和第二差分输出端子(O1N)，所述第一差分输出端子和所述第二差分输出端子分别提供第一差分驱动信号(Out1P)和第二差分驱动信号(Out1N)；

-输出级(402)，所述输出级包括第一输出支路(403)和第二输出支路(404)，所述第一输出支路具有与所述输入级(401)的所述第一差分输出端子(O1P)可操作地连接的第一差分输入端子(I1P)，以接收所述第一差分驱动信号(Out1P)，所述第二输出支路具有与所述输入级(401)的所述第二差分输出端子(O1N)可操作地连接的第二差分输入端子(I1N)、以接收所述第二差分驱动信号(Out1N)；

-控制电路(405)，所述控制电路配置成控制所述输出级(402)的所述第一输出支路(403)和所述第二输出支路(404)上的输出电流(I_OUTPB、I_OUTPA)，所述控制电路(405)包括：二极管配置的第一PMOS晶体管(M_BP2B)，所述第一PMOS晶体管以电流镜配置方式可操作地连接至所述输出级(402)的所述第一输出支路(403)的第二PMOS晶体管(M_L2B)；第一NMOS晶体管(M_BNB)，所述第一NMOS晶体管串联连接至所述第一PMOS晶体管(M_BP2B)且具有连接至偏置电压(V_BN2)的栅极端子；二极管配置的第三PMOS晶体管(M_BP2A)，所述第三PMOS晶体管以电流镜配置方式可操作地连接至所述输出级(402)的所述第二输出支路(404)的第四PMOS晶体管(M_L2A)；和第二NMOS晶体管(M_BNA)，所述第二NMOS晶体管串联连接至所述第三PMOS晶体管(M_BP2A)且具有连接至所述偏置电压(V_BN2)的栅极端子，

所述运算放大器(400)的特征在于，所述控制电路(405)还包括：

-第三NMOS晶体管(M_N3B)，所述第三NMOS晶体管以并联方式可操作地连接至所述第一NMOS晶体管(M_BNB)且具有布置为接收所述第二差分驱动信号(Out1N)的栅极端子，和

-第四NMOS晶体管(M_N3A)，所述第四NMOS晶体管(M_N3A)以并联方式可操作地连接至所述第二NMOS晶体管(M_BNA)且具有布置为接收所述第一差分驱动信号(Out1P)的栅极端子。

2.根据权利要求1所述的运算放大器(400)，其中，所述第一PMOS晶体管(M_BP2B)具有连接至第一基准电压(V_CC)的源极端子、连接至所述第一NMOS晶体管(M_BNB)的漏极端子和所述第三NMOS晶体管(M_N3B)的漏极端子的漏极端子，所述第一NMOS晶体管(M_BNB)的源极端子和所述第三NMOS晶体管(M_N3B)的源极端子均连接至第二基准电压(V_SS)。

3.根据权利要求2所述的运算放大器(400)，其中，所述第三PMOS晶体管(M_BP2A)具有连接至所述第一基准电压(V_CC)的源极端子、连接至所述第二NMOS晶体管(M_BNA)的漏极端子和所述第四NMOS晶体管(M_N3A)的漏极端子的漏极端子，所述第二NMOS晶体管(M_BNA)的源极端子和所述第四NMOS晶体管(M_N3A)的源极端子均连接至所述第二基准电压(V_SS)。