[发明专利]碳化硅外延晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201380035073.8 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104428872A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 姜石民;金知慧;金翼灿 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延晶片，其包含：
晶片；和
在所述晶片上形成的外延层，
其中所述晶片的表面缺陷为0.5ea/cm2以下。
2.权利要求1的外延晶片，其中所述表面缺陷为小滴、三角形缺陷、坑、波浪坑和粒子中的一种。
3.权利要求1的外延晶片，其中所述晶片的表面粗糙度为1nm以下。
4.权利要求1的外延晶片，其中所述晶片或所述外延层包含碳化硅。
5.权利要求4的外延晶片，其中所述晶片为4H碳化硅，且其偏离角在3°～10°的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
