[发明专利]封装的射频晶体管器件

权利要求书

1.一种封装的射频晶体管器件，包括：

射频晶体管管芯，包括多个射频晶体管单元，所述多个射频晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子；

射频输入引线，耦合到所述多个射频晶体管单元；

射频输出引线；

输出匹配网络，耦合在所述多个射频晶体管单元和所述射频输出引线之间，所述输出匹配网络包括具有相应的上部电容器板的多个电容器，其中所述电容器的所述上部电容器板中的每个都用第一线接合耦合到所述多个射频晶体管单元中的相应的一个的相应的输出端子，并且其中所述上部电容器板中的相邻的上部电容器板通过电阻性连接件耦合在一起；以及

组合器，耦合到所述射频输出引线；

其中所述输出匹配网络还包括在所述电容器中的相应的电容器的上部电容器板与所述组合器之间的第二线接合。

2.根据权利要求1所述的封装的射频晶体管器件，还包括容纳所述射频晶体管管芯和所述输出匹配网络的封装，并且所述射频输入引线和所述射频输出引线从所述封装延伸。

3.根据权利要求2所述的封装的射频晶体管器件，还包括基板，其中所述射频晶体管管芯在所述射频输入引线与所述射频输出引线之间安装在所述基板上，以及其中所述多个电容器被提供作为在所述射频晶体管管芯与所述射频输出引线之间在所述基板上的电容器块。

4.根据权利要求3所述的封装的射频晶体管器件，其中所述电容器块包括公共的基准电容器板和在所述基准电容器板上的电介质层，其中所述上部电容器板在所述电介质层上。

5.根据权利要求4所述的封装的射频晶体管器件，其中所述电阻性连接件包括在所述电介质层上的接触所述上部电容器板中的相邻上部电容器板的金属带。

6.根据权利要求5所述的封装的射频晶体管器件，其中所述金属带的宽度小于支持所述电介质层中的谐振模式所需要的宽度。

7.根据权利要求5所述的封装的射频晶体管器件，其中所述上部电容器板沿着第一方向布置，以及其中所述金属带具有沿着横穿所述第一方向的第二方向的宽度，所述宽度至少小于所述电容器块的沿着所述第一方向的长度的五分之一。

8.根据权利要求4所述的封装的射频晶体管器件，其中所述电阻性连接件具有大于1E-5欧姆厘米的电阻率。

9.根据权利要求8所述的封装的射频晶体管器件，其中所述电阻性连接件具有大于1E-4欧姆厘米的电阻率。

10.根据权利要求1所述的封装的射频晶体管器件，其中所述多个电容器包括多个分立的器件，所述多个分立的器件包括分离的基准电容器板和分离的电介质层。

11.根据权利要求1所述的封装的射频晶体管器件，还包括：

输入匹配网络，耦合在所述射频输入引线和所述多个射频晶体管单元之间，所述输入匹配网络包括多个具有相应的第二上部电容器板的第二电容器，其中所述第二电容器的第二上部电容器板耦合到所述射频晶体管单元中的相应的射频晶体管单元的输入端子。

12.根据权利要求11所述的封装的射频晶体管器件，其中所述多个第二电容器被提供作为电容器块，所述电容器块包括公共的基准电容器板和在所述基准电容器板上的电介质层，其中所述第二上部电容器板在所述电介质层上。

13.一种封装的射频晶体管器件，包括：

射频晶体管管芯，包括多个射频晶体管单元，所述多个射频晶体管单元中的每一个射频晶体管单元包括控制端子和输出端子；

射频输入引线，耦合到所述射频晶体管单元中的相应的射频晶体管单元；

射频输出引线；

输出匹配网络，耦合在所述射频晶体管管芯和所述射频输出引线之间，所述输出匹配网络包括分裂电容器，所述分裂电容器包括基准电容器板、所述基准电容器板上的电介质层、以及所述电介质层上的多个上部电容器板；

组合器，耦合到所述射频输出引线，

其中所述分裂电容器的所述上部电容器板中的每个都用第一线接合耦合到所述多个射频晶体管单元中的相应的一个的相应的输出端子，

其中所述上部电容器板中的相邻的上部电容器板通过电阻性连接件耦合在一起；

其中所述输出匹配网络还包括在所述电容器中的相应的电容器的上部电容器板与所述组合器之间的第二线接合。