[发明专利]电子部件用金属材料及其制造方法、使用其的连接器端子、连接器及电子部件

权利要求书

1.电子部件用金属材料，其具有低晶须性、低粘着磨耗性及高耐久性，并且具备：

基材；

下层，其形成在所述基材上且由选自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所组成的组即A构成元素组中的1种或2种以上所构成；

中层，其形成在所述下层上且由选自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所组成的组即B构成元素组中的1种或2种以上所构成；

上层，其形成在所述中层上且由选自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所组成的组即B构成元素组中的1种或2种以上、与选自由Sn及In所组成的组即C构成元素组中的1种或2种的合金所构成；及

最表层，其形成在所述上层上且由选自由Sn及In所组成的组即C构成元素组中的1种或2种所构成；并且

所述下层的厚度为0.05 μm以上且低于5.00 μm，

所述中层的厚度为0.01 μm以上且低于0.50 μm，

所述上层的厚度低于0.50 μm，

所述最表层的厚度为0.005 μm以上且低于0.30 μm。

2.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述最表层的最小厚度（μm）为所述最表层的厚度（μm）的50%以上。

3.如权利要求1或2所述的电子部件用金属材料，其中所述最表层与所述上层的界面轮廓的相邻的山与谷的高低差的最大值（μm）为所述上层的厚度（μm）的50%以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电子部件用金属材料，其中所述上层含有所述C构成元素组的金属10～50 at%。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层存在为包含Sn 11.8～22.9 at%的SnAg合金的ζ（zeta）相。

6.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层存在为Ag₃Sn的ε（epsilon）相。

7.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层存在为包含Sn 11.8～22.9 at%的SnAg合金的ζ（zeta）相、及为Ag₃Sn的ε（epsilon）相。

8.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层仅存在为Ag₃Sn的ε（epsilon）相。

9.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层存在为Ag₃Sn的ε（epsilon）相、及为Sn单相的βSn。

10.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层存在为包含Sn 11.8～22.9 at%的SnAg合金的ζ（zeta）相、为Ag₃Sn的ε（epsilon）相、及为Sn单相的βSn。

11.如权利要求1～10中任一项所述的电子部件用金属材料，其中所述最表层的厚度低于0.20 μm。

12.如权利要求1～11中任一项所述的电子部件用金属材料，其中所述上层的厚度为0.05 μm以上。

13.如权利要求1～12中任一项所述的电子部件用金属材料，其中所述中层的厚度为0.05 μm以上且低于0.30 μm。

14.如权利要求1～13中任一项所述的电子部件用金属材料，其中所述最表层与所述上层的厚度的比为最表层：上层＝1：9～6：4。

15.如权利要求1～14中任一项所述的电子部件用金属材料，其中在从所述最表层起，到自所述最表层的最表面去除0.03 μm的范围的所述中层为止含有分别为2 at%以下的C、S、O。

16.如权利要求1～15中任一项所述的电子部件用金属材料，其中通过超微小硬度试验对所述最表层的表面以载荷10 mN压出凹痕而测得的硬度即所述最表层的表面的压痕硬度为1000 MPa以上。