[发明专利]定向取向嵌段共聚物薄膜的制造

权利要求书

1.一种生产定向取向嵌段共聚物的方法，所述方法包括：

提供模板支撑的嵌段共聚物薄膜以及提供至少20℃/mm的热梯度的退火区域，所述模板在接触所述嵌段共聚物薄膜的表面上具有图案；

使所述嵌段共聚物薄膜与限制层接触，其中所述嵌段共聚物薄膜和所述限制层中的一个的热膨胀系数是另一个的热膨胀系数的至少两倍；使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动，以使所述嵌段共聚物薄膜位于所述加热元件与所述限制层之间；以及

使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动，以利用所述退火区域使所述嵌段共聚物薄膜退火。

2.如权利要求2所述的方法，其中所述模板支撑的嵌段共聚物薄膜经受低于或等于所述嵌段共聚物的有序-无序转变温度的最大温度。

3.一种生产定向取向嵌段共聚物的方法，所述方法包括：

提供嵌段共聚物薄膜和具有急剧热梯度的退火区域；

使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动；以及

通过使所述嵌段共聚物薄膜经受低于或等于所述嵌段共聚物的有序-无序转变温度的最高温度并且以大于20℃/mm的温度梯度使所述嵌段共聚物薄膜退火。

4.如权利要求3所述的方法，其中嵌段共聚物薄膜具有小于或等于500nm的厚度。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述嵌段共聚物薄膜在所述退火区域中持续至少50％的所述BCP的最长弛豫时间。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述嵌段共聚物薄膜被涂覆至衬底上。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述衬底是图案化模板。

8.如权利要求3所述的方法，其中使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动以使所述嵌段共聚物薄膜退火的步骤是在连续过程中进行。

9.如权利要求3所述的方法，其中施加限制层以接触所述嵌段共聚物薄膜，其中所述嵌段共聚物薄膜和所述限制层中的一个的热膨胀系数是另一个的热膨胀系数的至少两倍；使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动。

10.如权利要求3所述的方法，所述退火区域提供高于所述嵌段共聚物内的至少一种嵌段的Tg的最高温度。

11.一种生产定向取向嵌段共聚物的方法，所述方法包括：

提供嵌段共聚物薄膜和退火区域；

使所述嵌段共聚物薄膜与限制层接触，其中所述嵌段共聚物薄膜和所述限制层中的一个的热膨胀系数是另一个的热膨胀系数的至少两倍；使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动，以使所述嵌段共聚物薄膜位于所述加热元件与所述限制层之间；以及

使所述嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动，以利用所述退火区域使所述嵌段共聚物薄膜退火。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述限制层提供与所述嵌段共聚物薄膜的连续接触。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述限制层是呈传送带的形式。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述限制层是呈滚筒的形式。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述退火区域提供至少20℃/mm的热梯度。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述嵌段共聚物薄膜被涂覆至衬底上。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述衬底是图案化模板。

18.如权利要求11所述的方法，其中所述退火区域提供高于所述嵌段共聚物内的至少一种嵌段的Tg的最高温度。

19.一种生产定向取向嵌段共聚物的方法，所述方法包括：

提供模板支撑的嵌段共聚物薄膜和退火区域，所述模板在接触所述嵌段共聚物薄膜的表面上具有图案；

使所述模板支撑的嵌段共聚物薄膜和所述退火区域相对彼此移动，以使所述模板位于所述加热元件与所述嵌段共聚物薄膜之间；

通过使所述模板支撑的嵌段共聚物薄膜经受低于或等于所述嵌段共聚物的有序-无序转变温度的最高温度来利用所述退火区域使所述模板支撑的嵌段共聚物薄膜退火。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述退火区域提供至少20℃/mm的热梯度。