[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201380033466.5 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN104412372B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置包括贯通第一半导体基体的贯通电极,该方法包括:

形成绝缘层的步骤,该绝缘层仅位于第一半导体基体的第一表面上、围绕形成有贯通电极的位置的周界;

将第二半导体基体结合至该第一半导体基体的第一表面侧的步骤;

形成开口部分的步骤,该开口部分在由该绝缘层围绕的范围内、从该第一半导体基体的第二表面侧贯通至该第二半导体基体上的配线层;以及

在该开口部分内形成贯通电极的步骤。

2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,还包括:

在由该绝缘层围绕的范围内刻蚀该第一半导体基体、然后在形成该开口部分的步骤中刻蚀残留在该绝缘层的内壁表面中的该第一半导体基体的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,包括:

在该第一半导体基体的第一表面上的配线层中形成第一导电层的步骤,

其中,在形成该开口部分的步骤中,开口部分形成在该第一导电层中,以使得该第一半导体基体的第二表面侧上的开口大并且该第一半导体基体的第一表面侧上的开口小。

4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,包括:

在由该绝缘层围绕的范围内选择性地刻蚀该第一半导体基体的步骤;以及

刻蚀该绝缘层的部分内表面侧的步骤。

5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,包括:

在该第一半导体基体的第一表面上的配线层中形成第一导电层并且在该绝缘层和该第一导电层之间形成电极保护层的步骤,

其中,形成该开口部分的步骤包括在由该绝缘层围绕的范围内刻蚀该第一半导体基体的步骤和刻蚀从该电极保护层至该第二半导体基体上的配线层的部分的步骤。

6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法,其中,在形成该电极保护层的步骤中,该电极保护层形成为使该电极保护层的开口侧上的边缘部分在开口的中心方向上突出得比该绝缘层的开口侧上的边缘部分更多。

7.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法,其中,该电极保护层和该第一导电层与该第一半导体基体的第一表面上的配线层一同形成。

8.一种由根据权利要求1所述的方法制造的半导体装置,包括:

第一半导体基体;

第二半导体基体,结合在该第一半导体基体的第一表面侧上;

贯通电极,形成为从该第一半导体基体的第二表面侧贯通至该第二半导体基体上的配线层;以及

绝缘层,仅围绕该第一半导体基体内形成的该贯通电极的周界。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,包括:

第一导电层,在该第一半导体基体的第一表面上的配线层中,

其中,该贯通电极的侧表面连接至该第一导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,该贯通电极的底部连接至该第二半导体基体上的配线层中设置的第二导电层,并且该第一导电层和第二导电层通过该贯通电极彼此连接。

11.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,该第一导电层包括一开口,使得第一导电层连接至该贯通电极的侧表面。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,该第一导电层的开口的宽度小于该贯通电极的宽度。

13.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,该绝缘层的内侧的宽度大于该贯通电极的宽度。

14.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,该第一导电层的开口形成为使该第一半导体基体的第二表面侧上的开口大并且该第一半导体基体的第一表面侧上的开口小。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中,该第一导电层的开口形成为具有倾斜表面的形状。

16.根据权利要求15所述的半导体装置,其中,该第一导电层的开口部分的内表面的倾斜角等于或小于40°。

17.根据权利要求9所述的半导体装置,包括:

电极保护层,设置在该绝缘层和该第一导电层之间,用以保护该第一导电层。

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