[发明专利]一种发光装置有效
| 申请号： | 201380033058.X | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104641475B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;陈瑞添;孙小卫;希勒米·沃尔坎·德米尔 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程;何冲 |
| 地址： | 新加坡南*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光装置 耗尽 电流扩展层 掺杂度 配置 | ||
1.一种发光装置，包括：
多个电流扩展层，包括第一P掺杂层、N掺杂层和第二P掺杂层，
其中，所述N掺杂层与邻近所述N掺杂层的所述第一P掺杂层形成第一结，
其中，所述N掺杂层与邻近所述N掺杂层的所述第二P掺杂层形成第二结，
其中，所述N掺杂层的掺杂度和厚度配置为用于完全耗尽。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N掺杂层的厚度为20nm。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N掺杂层的内建电压大于穿通击穿电压。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述内建电压为3.23V，所述穿通击穿电压为0.08V。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N掺杂层中的掺杂物被配置为当N掺杂层完全耗尽时，成为电离的，并且充当空穴扩散者。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述P掺杂层的材料和所述N掺杂层的材料配置为彼此晶格匹配。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个电流扩展层中的每一个都包括GaN。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N掺杂层掺杂有Si。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述P掺杂层的掺杂浓度为3×1017cm-3，所述N掺杂层的掺杂浓度为2×1017cm-3。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括位于所述多个电流扩展层上的透明电流扩展层。
11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个电流扩展层还包括额外的N掺杂层和第三P掺杂层。
12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N掺杂层配置为被完全耗尽。
13.一种发光二极管，包括：
PNP半导体材料电流扩展层，
其中，所述PNP半导体材料包括：
N型半导体材料，其与邻近所述N型半导体材料的第一P型半导体材料形成第一结，并且所述N型半导体材料还与邻近所述N型半导体材料的第二P型半导体材料形成第二结；
其中，所述N型半导体配置为完全耗尽，留下电离的Si原子充当电流扩展者，其中PNP层不消耗少数载流子，N型材料的厚度小于少数载流子的扩散长度，并且，PNP层中的耗尽电压超过穿通击穿电压。
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