[发明专利]非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380032643.8 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN104487169B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 宫村健太郎;饭沼知久;大野康晴 申请(专利权)人: 东亚合成株式会社
主分类号: B01J41/10 分类号: B01J41/10;C01G29/00;C08K3/22;C08L101/00;C09J11/04;C09J201/00;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非晶质 无机 阴离子 交换 电子零件 封装 树脂 组合 非晶质铋 化合物 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及非晶质无机阴离子交换体、含有该非晶质无机阴离子交换体的电子零件封装用树脂组合物、电子零件封装用树脂、电子零件、清漆、粘着剂、糊剂及物品,以及非晶质铋化合物的制造方法。

背景技术

大多LSI、IC、混合IC、晶体管、二极管和晶闸管以及它们的混合零件等电子零件,为了保护电子电路、封装不受来自外界的污染、水分等影响,通常使用电子零件封装用树脂组合物加以封装。这样的电子零件封装材抑制原材料中的离子性杂质或从外部侵入的水分造成的不良情形,同时要求阻燃性、高密合性、耐龟裂性及高体积电阻率等电气特性等各种特性。

电子零件封装用树脂组合物中,大多使用与金属配线或半导体芯片的密合性很好、耐热性高的环氧树脂,封装用树脂组合物除了作为主成分的环氧化合物以外,大多由环氧化合物固化剂、固化促进剂、无机填充物、阻燃剂、颜料以及硅烷偶合剂等构成。

环氧树脂为优秀的封装用树脂,但公知其含有少量离子性杂质,也公知离子性杂质可能腐蚀半导体芯片配线电路中所使用的铝等金属配线。另一方面,随着近年半导体电路的高集成化与高速化,电路工作时发生的焦耳热造成半导体芯片温度显著上升,因此封装材中掺混大量的氧化锑、溴化环氧树脂以及无机氢氧化物等阻燃剂,这些阻燃剂成分导致铝配线等金属配线更易发生腐蚀。该腐蚀现象主要由于封装材使用的环氧树脂中浸入的水分所助长。

为了防止前述腐蚀,公知一种半导体封装用环氧树脂组合物,其在环氧树脂中掺混作为无机阴离子交换体的铋化合物。专利文献1中公开一种作为无机阴离子交换体的下述式[3]所示铋化合物,可用于吸附固定电气电子领域相关的固体材料中的杂质离子,但对于组成中的硝酸离子(NO3)6-x,因有3.5≦x≦5.5为必须的定义,x若大于5.5则化合物中的NO3基少,中性附近的离子交换容量、交换速度小,构造接近通常的含水氧化铋,结果具有通常的含水氧化铋易引起耐水性降低的缺点,

Bi6O6(OH)x(NO3)6-x·nH2O   [3]。

式[3]中所谓x大于5.5,是当n为0或1,则无机阴离子交换体所含有的(NO3)少于2%的情形。换言之,已知道由铋化合物构成的无机阴离子交换体中,含有(NO3)多于2%者,在中性附近的离子交换容量、交换速度大,耐水性优异,反之,(NO3)含量少者具有不良的倾向。

又,作为公知的铋化合物制造方法,在专利文献1中公开一种在硝酸过量的硝酸铋中以2小时左右添加化学当量碱的方法,并进一步公开了如下方法:在式[3]中,为使下标x的值提高1,而进一步添加约1摩尔碱。并公开了较优选的反应温度为20~50℃的范围。

又,专利文献2公开下述式[4]所示铋化合物,作为氯化物离子除去用无机离子交换体表现优异,但对于组成中的硝酸离子(NO3)4-2x,因有-0.18≦x≦0.29为必须的定义,故在换算为NO3的质量比率时,相当于8.4~10.5%,则必须具有高硝酸离子含量,

Bi10O13+x(NO3)4-2x   [4]。

又,专利文献2中公开如下内容:优选使用(NO3)相对于Bi比率大于4:10的铋化合物作为原料进行热分解,从而得到前述式[4]所示的结晶性铋化合物,其中记载了若在630℃进行热分解,则形成结晶化的Bi2O3

作为这些铋化合物制造方法,已知通过使硝酸铋在碱溶液中反应,从而进行水解而得到,但也知道此制法仅能得到平均粒径5~10μm的柱状结晶(参照专利文献3)。

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