[发明专利]LED的集体制造的方法及LED的集体制造的结构

说明书

技术领域和背景技术

本发明涉及发光二极管(LED)的制造。

LED通常由与包括至少一个n型层或区域、p型层或区域和布置在n型层与p型层之间的有源层的层的层叠对应的基本结构制造。这些基本LED结构能够由相同的生长基板形成，在该生长基板上，通过外延生长形成有以上所描述的层的层叠，该层叠的各部分然后被从基板切去以各自形成基本LED结构。

然而，其它LED制造操作-诸如通过形成n型接触垫和p型接触垫或装配/去除在高强度LED的情况下执行处理所尤其需要的生长支承对LED进行布线-单独地全部或部分地在各个LED层面上执行，意味着基本结构彼此分离并且因此一次处理一个结构。

相同情况适用于针对各个LED单独地执行的、将LED装配在机械支承上中所涉及的操作和光转换材料(“磷光体”)的沉积的操作。

尽管单独地执行这些操作允许对LED制造工艺的精度的良好控制，但是它将操作的数量乘以要制造的LED的数量并且因此增加LED制造费用。

发明内容

本发明的目的在于通过允许LED的集体制造来补救尤其以上所提到的缺点。

该目的利用一种发光二极管LED器件的集体制造的方法来实现，所述方法包括在第一基板的表面上形成多个基本LED结构，所述多个基本LED结构中的每一个都包括至少一个n型层、有源层和p型层，所述基本LED结构在所述第一基板上通过沟槽彼此间隔开，所述方法还包括以下步骤：

-减少所述p型层、所述有源层和所述n型层的与所述有源层接触的第一部分的横向尺寸，所述n型层具有第二部分，所述第二部分的横向尺寸大于所述n型层的所述第一部分的横向尺寸；

-将绝缘材料层沉积在至少每一个基本结构上；

-在所述p型层、所述有源层和所述n型层的所述第一部分的侧面上形成绝缘材料的一部分；

-在暴露的n型层的至少整个所述第二部分上形成n型电接触垫；

-在所述横向尺寸减少步骤之前或之后形成p型电接触垫；

-将导电材料层沉积在包括所述基本LED结构的所述第一基板的整个所述表面上并且对所述导电材料层进行抛光，所述抛光被执行直到达到所述绝缘材料层的存在于所述p型电接触垫和所述n型电接触垫之间的至少所述部分为止，从而形成包括所述导电材料层的各个单独部分的结构，每一个单独部分与一个或更多个n型电接触垫接触；以及

-通过分子粘附使第二基板结合在所述结构的已抛光表面上。

因此，本发明的方法使得可以对于存在于基板上的整个基本结构集体地形成n型接触垫和p型接触垫。形成接触垫所需要的操作的数量相对于其中接触垫独立地形成在各个基本结构上的现有技术在这里是相当更少的。因此具有包括能够被单独地或作为一组切去以形成LED器件的多个布线的基本结构。

本发明有利地使得可以形成n型接触垫和p型接触垫并且可以全部在最少的步骤中将包括基本LED结构的基板与转印基板装配在一起，从而使得可以减少成本和生产时间。

在特定实施方式中，在其中金属层被沉积在整个基本结构上的相同步骤期间同时制备n型接触垫和p型接触垫。

在特定实施方式中，绝缘材料层被进一步沉积在存在于基本LED结构之间的沟槽的一部分中，不包含绝缘材料的沟槽确定基本LED结构周围的切割区域的界限。

在特定实施方式中，各个基本LED结构形成在松弛材料或部分松弛材料的岛上。

例如，松弛材料或部分松弛材料是InGaN。

在特定实施方式中，所述方法在第二基板的结合之后包括第一基板的去除。

在针对整个基本结构的单个操作中去除尤其使得可以从LED器件的发光表面脱离的初始基板。在特定情况下，基板在去除后还能够被循环使用和使用一次或更多次。

所述方法还可以包括将光转换材料层沉积与在第一基板的去除之后暴露的基本LED结构的表面上。

因此具有如下的结构，即，从该结构能够切去LED器件，每一个LED器件由一个或更多个布线的基本结构形成，提供有最终基板，并且覆盖有光转换层。

在特定实施方式中，所述方法包括在去除第一基板之后暴露的基本LED结构的表面上形成微结构。

因此具有如下的结构，即，从该结构能够切去LED器件，每一个LED器件由一个或更多个布线的基本结构形成，提供有最终基板和微结构，从而尤其使得可以在LED器件上给与特定光学特性。