[发明专利]存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制造方法

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：

形成原始前体结构，所述原始前体结构包括安置于磁性材料与另一磁性材料之间的非磁性材料，所述磁性材料及所述另一磁性材料中的至少一者包括在一磁性强度下展现垂直磁性定向的磁性区域，所述原始前体结构经历初始应力状态；

形成安置于所述原始前体结构上的应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态相反的应力状态；以及

图案化所述应力补偿材料及所述原始前体结构的至少一部分以形成存储器单元，同时维持或增强所述磁性区域的所述磁性强度及所述垂直磁性定向。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成应力补偿材料包括：形成安置于所述原始前体结构上的所述应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态相反且实质上等于由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态的应力状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成应力补偿材料包括：形成安置于所述原始前体结构上的所述应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态相反且大于由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态的应力状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成应力补偿材料包括：形成安置于所述原始前体结构上的所述应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态相反且小于由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态的应力状态。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中形成应力补偿材料包括：在所述原始前体结构上形成导电材料。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中形成应力补偿材料包括：在所述原始前体结构上形成非牺牲性材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成原始前体结构包括形成经历初始拉伸应力状态的所述原始前体结构；且

形成应力补偿材料包括形成安置于所述原始前体结构上的所述应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与所述原始前体结构的所述初始拉伸应力状态相反的压缩应力状态。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成原始前体结构包括形成经历初始压缩应力状态的所述原始前体结构；且

形成应力补偿材料包括形成安置于所述原始前体结构上的所述应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与所述原始前体结构的所述初始压缩应力状态相反的拉伸应力状态。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成应力补偿材料包括在所述原始前体结构上形成导电材料以使由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态至少部分地无效；且

图案化所述应力补偿材料及所述原始前体结构的至少一部分包括从所述原始前体结构的所述至少一部分且从所述导电材料移除材料以形成其材料未经横向膨胀或收缩的所述存储器单元的单元核心。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成原始前体结构包括在衬底上形成所述原始前体结构，所述原始前体结构展现所述初始应力状态，所述初始应力状态为压缩应力状态。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

形成原始前体结构包括在衬底上形成所述原始前体结构，所述原始前体结构经历所述初始应力状态，所述初始应力状态为拉伸应力状态；且

在所述原始前体结构上形成导电材料包括在所述原始前体结构上形成所述导电材料以使由所述原始前体结构经历的所述拉伸应力状态至少部分地无效。