[发明专利]制造超硬结构的方法

权利要求书

1.一种结构的制造方法，所述结构包括与细长基底的侧面连接的多晶超硬结构；所述方法包括：提供配置为超高压高温炉的容器，所述容器具有细长腔体，以容纳预烧结组件并限定纵向轴，所述腔体具有通过腔壁连接的相对的端部；所述预烧结组件包括所述基底、聚集体和间隔结构，所述聚集体包括多个超硬晶粒，所述超硬晶粒被配置在所述基底的至少一部分侧面上，所述间隔结构被配置为将所述基底与所述腔壁间隔开；所述间隔结构包括具有至少300GPa杨氏模量的材料；所述方法还包括将所述预烧结组件插入到所述腔体中，所述基底基本上为纵向对齐，并且所述间隔结构被配置在所述基底侧面和所述腔壁之间；将力施加至所述预烧结组件并加热其至一定温度，所述力足以在所述容器内产生压强以在所述温度下烧结所述聚集体，并提供所述结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔结构为所述基底的整体部分。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述基底包括从所述基底的细长核体结构侧向延伸的所述间隔结构。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔结构与所述基底邻接。

5.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述力纵向地或三轴地施加至所述预烧结组件。

6.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述基底包括细长核体结构和限定所述基底的近端面的端盖，所述端盖侧向延伸至所述核体结构之外。

7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述基底包括细长核体结构，其具有第一侧向横截面尺寸和在一端处具有第二侧向尺寸的径向延伸的周向端部结构，所述第二尺寸基本上大于所述第一尺寸，所述基底的横截面侧向尺寸从所述第一尺寸至所述第二尺寸连续变化。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述基底的横截面侧向尺寸从所述第一尺寸至所述第二尺寸连续变化，使得曲率半径由所述基底的侧面限定。

9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构被配置为与所述基底的端部整体形成的端部圆盘。

10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，中间结构存在于所述基底的至少一部分和所述间隔结构的至少一部分之间。

11.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构与所述腔壁邻接。

12.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，中间结构存在于所述间隔结构的至少一部分和所述腔壁的至少一部分之间。

13.如上述权利要求中任一项所述的方法，所述方法包括使用多于一个的间隔结构，每个被配置在沿所述基底的各个不同的纵向位置。

14.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构为环形。

15.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述基底围绕中心纵向轴旋转对称。

16.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构包括在至少1，000摄氏度的温度下具有至少300GP杨氏模量的材料。

17.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构包括硬质金属。

18.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构包括陶瓷材料。

19.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构包括镍基超合金材料。

20.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔结构包括超硬材料。

21.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述容器包括叶腊石、多铝红柱石、蓝晶石、高岭石、盐或陶瓷材料。

22.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述超硬晶粒包括天然或合成金刚石材料，或立方氮化硼(cBN)材料。

23.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述多晶超硬结构包括多晶金刚石(PCD)材料、多晶立方氮化硼(PCBN)材料、碳化硅粘合金刚石(SCD)材料或包含超硬晶粒的硬质合金材料。

24.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述结构用于可由其制造旋转机械刀具元件的毛坯体。