[发明专利]薄膜的改进型准分子激光退火

权利要求书

1.一种用于使薄膜结晶的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有多个装置形成区域的薄膜；

产生具有均匀部分和两个边缘部分的线光束，同时沿第一方向连续平移所述薄膜，且用所述线光束的均匀部分照射第一装置形成区域；和

用所述线光束的均匀部分照射与所述第一装置形成区域不同的第二装置形成区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第一装置形成区域重叠所述第二装置形成区域。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括连续照射连续的装置形成区域直到所述每个装置形成区域已被照射至少一次。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在每个装置形成区域已被照射至少一次后，在与所述第一方向相反的第二方向上连续平移所述膜，同时照射连续的装置形成区域。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在每个装置形成区域已被照射至少一次后，将所述膜平移回开始位置并且在所述第一方向上连续平移所述膜，照射连续的装置形成区域。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在每个装置形成区域已被照射至少一次后，在垂直于所述第一方向的方向上移动所述膜。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在每个装置形成区域已被照射一次后，在平行于所述第一方向的方向上移动所述膜。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括照射每个装置形成区域至少两次。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括照射每个装置形成区域至少四次。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括照射每个装置形成区域至少六次。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括要形成像素的区域。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括要形成薄膜晶体管的区域。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括要形成电容器的区域。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在邻近所述第一装置形成区域的电容器区域形成电容器。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括要形成薄膜晶体管列的区域。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括要形成装置的多个列的区域。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括装置的第一列部分和装置的第二列部分，其中所述装置的第一列部分在所述装置的第二列部分的近端。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置形成区域包括像素的第一列中的区域和像素的第二列中的区域。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述线光束具有足以使所述膜部分熔融的注量。

20.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述线光束具有足以使所述膜完全熔融的注量。

21.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述线光束具有足以使所述膜接近完全熔融的注量。

22.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述线光束具有低于所述部分熔融阈值但足以改变所述薄膜结构的注量。

23.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述膜包括半导体膜。