[发明专利]切割装置以及切割方法有效
申请号: | 201380031514.7 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104364884B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 渡边纯二;藤田隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社东京精密;渡边纯二 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B24D3/00;B24D3/06;B24D5/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 刘影娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 装置 以及 方法 | ||
1.一种切割装置,其以延展性模式对工件进行切断加工,其中,
所述切割装置具备:
切割刀片,其由对金刚石磨粒进行烧结而形成的金刚石多晶体一体地构成为圆盘状,所述金刚石多晶体的所述金刚石磨粒的含量为80vol%以上,以便以延展性模式对所述工件进行切断加工;
旋转机构,其使所述切割刀片旋转;
移动机构,其在通过所述切割刀片对所述工件给予恒定的切入深度的同时,使所述工件相对于所述切割刀片进行相对移动,
所述工件为脆性材料,
为了以延展性模式进行切断加工,
所述切割刀片具有多个凹凸的凹部作为多个切削刃,所述多个凹凸由位于所述切割刀片的外周端的所述金刚石磨粒的晶体粒界形成,
对所述工件给予的所述恒定的切入深度为临界切入深度以下,所述临界切入深度是指在不产生所述工件的脆性破坏的情况下能够对所述工件进行加工的最大切入深度。
2.根据权利要求1所述的切割装置,其中,
所述切割刀片沿向下剪切方向旋转并切入所述工件。
3.根据权利要求1或2所述的切割装置,其中,
在所述切割刀片的外周部沿周向连续地设置有形成于所述金刚石多晶体的表面的凹部。
4.根据权利要求1或2所述的切割装置,其中,
所述金刚石多晶体是使用软质金属的烧结助剂对所述金刚石磨粒进行烧结而成的构件。
5.根据权利要求1或2所述的切割装置,其中,
所述金刚石磨粒的平均粒径为25μm以下。
6.根据权利要求1或2所述的切割装置,其中,
所述切割刀片的外周部形成为比所述外周部的内侧部分薄。
7.根据权利要求6所述的切割装置,其中,
所述切割刀片的外周部的厚度为50μm以下。
8.根据权利要求6所述的切割装置,其中,
在所述旋转机构上设置有与使所述切割刀片旋转的旋转轴垂直的金属制的凸缘面,
所述切割刀片在一侧面具备基准平面部,并以所述基准平面部与所述凸缘面抵接的状态固定于所述旋转轴。
9.根据权利要求8所述的切割装置,其中,
所述切割刀片的基准平面部构成为以所述旋转轴为中心的环状。
10.一种切割装置,其以延展性模式对工件进行切断加工,其中,
所述切割装置具备:
切割刀片,其由对金刚石磨粒进行烧结而形成的金刚石多晶体一体地构成为圆盘状,所述金刚石多晶体的所述金刚石磨粒的含量为80vol%以上,以便以延展性模式对所述工件进行切断加工;
旋转机构,其使所述切割刀片旋转;
移动机构,其在通过所述切割刀片对所述工件给予恒定的切入深度,并向所述切割刀片给予用于提高所述切割刀片与所述工件之间的润滑效果的微粒子的同时,使所述工件相对于所述切割刀片进行相对移动,
所述工件为脆性材料,
为了以延展性模式进行切断加工,
所述切割刀片具有多个凹凸的凹部作为多个切削刃,所述多个凹凸由位于所述切割刀片的外周端的所述金刚石磨粒的晶体粒界形成,
对所述工件给予的所述恒定的切入深度为临界切入深度以下,所述临界切入深度是指在不产生所述工件的脆性破坏的情况下能够对所述工件进行加工的最大切入深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造