[发明专利]单晶体切割方法无效
| 申请号： | 201380031273.6 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104428115A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 奥克塔维安·菲利普;鲍里斯·埃佩尔鲍姆;马蒂亚斯·比克尔曼;阿尔布雷希特·温纳克;保罗·海曼;乌尔里希·赛茨 | 申请（专利权）人： | N-水晶有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 德国菲*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶体 切割 方法 | ||
1.一种用于切割具有第一极轴(P1)的单晶体(1)的方法，所述方法包括以下步骤：
将所述单晶体(1)相对于切割工具(2)设置为使得所述第一极轴(P1)基本垂直于待切割平面(SE)；
将具有第二极轴(P2)的至少一个另一单晶体(5)设置为使得所述第一极轴(P1)与所述第二极轴(P2)基本平行但彼此相反；以及
同时引导所述切割工具(2)沿所述待切割平面(SE)穿过所述单晶体(1)与所述至少一个另一单晶体(5)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个另一单晶体(5)几何上形成为使得在引导所述切割工具(2)时，所述单晶体(1)中的第一切割长度对于所述至少一个另一单晶体(5)的第二切割长度偏移最多30％。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，垂直于所述第一极轴(P1)延伸的所述单晶体(1)的中间第一直径相对于垂直于所述第二极轴(P2)延伸的所述另一单晶体(5)的中间第二直径偏移最多30％。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述单晶体(1)和所述至少一个另一单晶体(5)在化学组成上相匹配。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述单晶体(1)和所述至少一个另一单晶体(5)具有从由氮化铝、氮化镓、砷化镓、磷化铟构成的组中选择的化学组成。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述单晶体(1)和所述至少一个另一单晶体(5)在它们的晶体点阵对称性上相匹配。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，线锯的至少一个线，优选为线网，作为所述切割工具(2)使用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于N-水晶有限公司，未经N-水晶有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380031273.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：传感器搭载装置
- 下一篇：由榅桲属汁液获得的红色组合物
