[发明专利]无线受电电路及使用了它的电子设备

权利要求书

1.一种与接收线圈一起构成无线受电装置的无线受电电路，其特征在于，包括：

连接电容器的内部电源线，

输出线，

整流线，

接地线，

H桥电路，包含被设在上述整流线与上述接收线圈的一端之间的N沟道MOSET的第1晶体管、被设在上述整流线与上述接收线圈的另一端之间的N沟道MOSET的第2晶体管、被设在上述接收线圈的一端与上述接地线之间的N沟道MOSET的第3晶体管、被设在上述接收线圈的另一端与上述接地线之间的N沟道MOSET的第4晶体管，

第1开关，被设在上述整流线与上述内部电源线之间，

第2开关，被设在上述整流线与上述输出线之间，以及

控制器，控制上述H桥电路的上述第1晶体管、上述第2晶体管、上述第3晶体管、上述第4晶体管、上述第1开关、上述第2开关；

其中，上述控制器的电源端子被供给上述内部电源线的电压。

2.如权利要求1所述的无线受电电路，其特征在于，

上述控制器被构成为可切换使上述第1开关导通、使上述第2开关截止的第1状态，和使上述第1开关截止、使上述第2开关导通的第2状态。

3.如权利要求2所述的无线受电电路，其特征在于，

上述控制器基于上述内部电源线的电压切换上述第1状态和上述第2状态。

4.如权利要求3所述的无线受电电路，其特征在于，还包括：

比较器，将与上述内部电源线的电压相应的第1检测电压与预定的第1阈值电压进行比较；

上述控制器基于上述比较器的输出，切换上述第1状态和上述第2状态。

5.如权利要求4所述的无线受电电路，其特征在于，

上述比较器是迟滞比较器。

6.如权利要求4所述的无线受电电路，其特征在于，

与上述内部电源线的电压相应的上述第1检测电压是上述内部电源线的电压与上述输出线的电压的差电压。

7.如权利要求2所述的无线受电电路，其特征在于，

上述控制器按预定的时间周期切换上述第1状态和上述第2状态。

8.如权利要求1至7的任一项所述的无线受电电路，其特征在于，

上述控制器被构成为能切换在将上述第1晶体管及上述第2晶体管的栅极电压固定为低电平电压的状态下、对上述第3晶体管及上述第4晶体管进行开关的第1模式，和对上述第1晶体管及上述第2晶体管、上述第3晶体管及上述第4晶体管进行开关的第2模式。

9.如权利要求8所述的无线受电电路，其特征在于，

上述控制器基于上述内部电源线的电压切换上述第1模式和上述第2模式。

10.如权利要求9所述的无线受电电路，其特征在于，还包括：

第2比较器，将与上述内部电源线的电压相应的第2检测电压与预定的第2阈值电压进行比较；

上述控制器基于上述第2比较器的输出切换上述第1模式和上述第2模式。

11.如权利要求10所述的无线受电电路，其特征在于，

与上述内部电源线的电压相应的上述第2检测电压是上述内部电源线的电压与上述输出线的电压的差电压。

12.如权利要求1至11的任一项所述的无线受电电路，其特征在于，

上述第1开关包含作为MOSFET的第5晶体管，上述第5晶体管的背栅被接线成其体二极管的阴极处于上述内部电源线侧的方式。

13.如权利要求1至12的任一项所述的无线受电电路，其特征在于，

上述第2开关包含作为MOSFET的第6晶体管，上述第6晶体管的背栅被接线成其体二极管的阴极处于上述整流线侧的方式。

14.如权利要求13所述的无线受电电路，其特征在于，

上述第2开关还包含与上述第6晶体管串联而设的作为MOSFET的第7晶体管，上述第7晶体管的背栅被接线成其体二极管的阴极处于上述输出线侧的方式。

15.如权利要求1至14的任一项所述的无线受电电路，其特征在于，

被一体集成在一个半导体基板上。

16.一种电子设备，其特征在于，包括：

接收线圈，和

权利要求1至15的任一项所述的无线受电电路。