[发明专利]复合基板

说明书

技术领域

本发明关于复合基板。

背景技术

以往所知的是，在贴合了支承基板和压电基板的复合基板上，设置电极而制作弹性波装置。在这里，弹性波装置用作例如，手机等通信机器中的带通滤波器。此外所知的是，复合基板中，作为压电基板使用了铌酸锂或钽酸锂，作为支承基板使用了硅、石英或陶瓷(参照专利文献1)。作为陶瓷，记载有作为封装材料所通用的。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本专利特开2006-319679号公报

发明内容

但是，以往的复合基板，支承基板由不透明的陶瓷制作，因此存在倒装焊接(FCB)时难以定位的问题。具体的，如图6所示，FCB时，使贴合了支承基板112和压电基板114的复合基板110为压电基板114在下、支承基板112在上，必须将压电基板114上的Au制球形凸点114a与印刷基板102上的电极极板102a的位置相合(定位)。定位通过配置在支承基板112一侧的摄像头边确认边进行。此时，虽然压电基板114透明、但由于支承基板112是不透明的陶瓷，因此不容易透过支承基板112定位。

本发明为了解决此种课题而作，主要目的是提供FCB时容易定位的复合基板。

本发明的复合基板，是贴合了支承基板和压电基板的复合基板，所述支承基板的材料是透光性陶瓷。

根据本发明的复合基板，较之于支承基板由不透明的陶瓷制作的情况，FCB时容易定位。即，通常压电基板是透明的，FCB时，压电基板在下、支承基板在上，但由于支承基板为透光性陶瓷所制，因此透过支承基板可以确认压电基板的位置(设置在压电基板上的球形凸点的位置等)。因此，容易定位。

本发明的复合基板中，所述支承基板的可见光区域(360～750nm、下同)中的直线透过率及前方全光线透过率分别优选10％以上及70％以上。这样，可以更确切地获得上述的本发明的效果。

本发明的复合基板中，所述支承基板的前方全光线透过率优选为波长200nm时在80％以上。这样，在压电基板表面形成光致抗蚀剂膜后，使用波长200nm附近的UV进行光致抗蚀剂膜的曝光时，抑制压电基板与支承基板的界面的反射、使得高精度的图案绘制成为可能。此外，曝光装置的分辨率以k×λ/NA定义(k：系数、λ：光源的波长、NA：投影物镜的数值孔径)，因此通过短波长曝光可以形成微细图案。在这里，优选支承基板的表背两面中的至少一个面为粗糙面(例如轮廓算数平均偏差Ra为5～20nm)。此时，较之于表背两面为镜面(例如轮廓算数平均偏差Ra为0.5～2nm)的情况，波长200nm时的前方全光线透过率的值变高。特别是，支承基板的两面为粗糙面时，波长200nm时的前方全光线透过率的值更高，因此优选。

本发明的复合基板中，所述支承基板和所述压电基板介由粘合层贴合，所述粘合层的折射率优选为所述支承基板的折射率与所述压电基板的折射率之间的值。这样，从压电基板的上方照射的光容易通过粘合层及支承基板。

本发明的复合基板中，所述支承基板也可以具备有空腔。支承基板可以通过透光性陶瓷原料的成形烧结而得到，因此，制作具备有空腔的支承基板时，使用可以得到具备有空腔的成形体的模具即可。因此，无需遮蔽或蚀刻工序。例如，作为支承基板，不使用透光性陶瓷基板而使用硅基板时，要在该硅基板上制作空腔，需要以下一连串的工序，首先在硅基板的一个面(与压电基板的接合面的相反一侧的面)覆盖掩膜，然后将该掩膜曝光·显影，之后蚀刻未掩膜的部分。

本发明的复合基板中，优选所述支承基板的热膨胀率为4～9ppm/℃。这样，高温下的热膨胀小、温度特性改善效果良好。

本发明的复合基板中，优选所述支承基板的平均结晶粒径为10μm～50μm。这样，由于平均结晶粒径小，可以减少不需要的体波的反射。此外，UV透过率、强度也变高。

本发明的复合基板中，优选所述支承基板的材料为透光性氧化铝陶瓷。透光性氧化铝陶瓷所构成的支承基板的特性如下。

·直线透过率 可见光区域中在10％以上

·前方全光线透过率 可见光区域中在70％以上(波长200nm时在80％以上)，该透过率在波长短于300nm的短波长一侧急速上升。

·氧化铝纯度 99.9％以上

·结晶粒径 10～50μm

·热膨胀率 4～9ppm/℃

附图说明

[图1]显示复合基板10的构成概略的侧视图。

[图2]显示复合基板10的制造工序的侧视图。