[发明专利]光伏薄层太阳能模块以及用于制造这种薄层太阳能模块的方法

权利要求书

1.光伏薄层太阳能模块，其包括：

至少一个衬底层，

至少一个后电极层，

至少一个传导性势垒层，

至少一个接触层，

至少一个半导体吸收层，

至少一个第一缓冲层，其包含或由CdS或无CdS的层构成，和/或

至少一个第二缓冲层，其包含并由本征氧化锌和/或高欧姆氧化锌构成，以及

至少一个透明前电极层，其特征在于，

相间隔的、填充有至少一种绝缘材料的第一结构化分离沟槽，其把相邻的太阳能电池相互分离直至衬底层，

相间隔的、填充有或配备有至少一种导电材料的第二结构化分离沟槽，其延伸直至接触层或直至后电极层或直至势垒层，并分别与被填充的第一结构化分离沟槽相邻，

相间隔的第三结构化分离沟槽，其延伸直至接触层或直至后电极层或直至势垒层，并分别在第一结构化沟槽的以下侧与第二结构化沟槽相邻，即该第二结构化分离沟槽与第一结构化沟槽的该侧相邻，以及

至少一个导电桥，其从填充有导电材料的或配备有这种材料的第二结构化分离沟槽越过填充有该绝缘材料的相邻第一结构化分离沟槽至与之相邻的太阳能电池的前电极层。

2.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个后电极层直接邻近该衬底层。

3.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个传导性势垒层直接邻近该后电极层和/或该衬底层。

4.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个接触层直接邻近该势垒层。

5.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个接触层是欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个半导体吸收层直接邻近该接触层。

7.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述半导体系吸收层包括黄铜矿或锌黄锡矿半导体吸收层。

8.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个第一缓冲层直接邻近该半导体吸收层。

9.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个第一缓冲层包含或由Zn(S,OH)或In₂S₃构成。

10.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个第二缓冲层直接邻近该半导体吸收层或该第一缓冲层。

11.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个透明前电极层直接邻近该半导体吸收层、该第一缓冲层和/或该第二缓冲层。

12.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述至少一个透明前电极层包含或由n掺杂的氧化锌构成。

13.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述第二结构化分离沟槽延伸直至势垒层。

14.根据权利要求1所述的薄层太阳能模块，其特征在于，所述第三结构化分离沟槽延伸直至势垒层。